氧化物薄膜造句

造句与例句手机版

双层锰氧化物薄膜中的应力效应
透明导电氧化物薄膜在光电产业扮演着很重要的角色。
氧化物薄膜的制备已经成为凝聚态物理学的一个研究热点。
无机氧化物薄膜在现代微电子学、固体电子学和光学工程中有广泛的应用。
它可以在更为简单的实验条件下制备氧化物薄膜，因此引起了人们的极大兴趣。
一种新的制备氧化物薄膜的方法? ?化学液相淀积( cld )于1988年被nagayama等人首次提出。
固定小功率非绕线绝缘电阻器详细规范.螺旋形切割金属氧化物薄膜.全面评定级
通过理论预测和rheed的检测,控制氧化物薄膜生长,特别是控制铁电氧化物薄膜生长中的应变行为。
传统制备氧化物薄膜的方法包括热氧化、化学汽相淀积、金属有机物化学汽相淀积、溶胶凝胶法等等。
目前应用广泛的透明导电氧化物薄膜主要有氧化铟锡薄膜( ito ) 、氧化锌铝膜( azo ) 、掺锑氧化锡( ato )等。铟锡氧化物( ito )是制造透明电极的重要材料。
用氧化物薄膜造句挺难的，這是一个万能造句的方法
本文从la _ 2nio _ 4系稀土复合氧化物薄膜的制备方法、气敏性、掺杂改性三方面对这种新型的氧敏材料进行了系统的研究。
氧化物薄膜由于其丰富的物理性质可广泛地被应用于微电子学、光电子学和微电子机械系统等领域,对其制备工艺和生长控制的研究愈加受到重视。
人们对磁电阻效应的研究主要在于最近的十年间，继1988年baibich等人在磁性多层膜fe co中发现了磁电阻效应后， 1993年helmolt等人在la _ ( 2 3 ) ba _ ( 1 3 ) mno _ x等镧锰氧化物薄膜材料中也发现了磁电阻效应。
文摘:在成功地外延生长超导、铁电、铁磁等多种性质的钙钛矿结构氧化物薄膜的基础上，讨论影响氧化物薄膜外延生长的一些因素.考虑到相形成和薄膜生长动力学，在利用脉冲激光淀积法外延生长氧化物薄膜中衬底温度是十分重要的工艺参数.衬底温度对成相和生长薄膜的取向都有影响.考虑到薄膜是首先在衬底表面成核、成相并生长.因此衬底材料晶格的影响是不容忽视的.观察到衬底材料对薄膜外延生长温度的影响.在适当的工艺条件下，利用低温三步法工艺制备得到有很强织构的外延薄膜.这突出表明界面层的相互作用对钙钛矿结构薄膜的取向有着相当大的影响
氧化物薄膜异质外延应变行为的理论预测和解释。对于晶格失配较小的外延体系(如batio3 / srtio _ 3 2 . 18 % ) ,薄膜以层状方式进行生长,临界厚度和应变释放过程可以用经典的matthews - blakeslee公式进行预测;对于晶格失配较大的体系(如mgo / srtio _ 3 8 % ) ,薄膜以岛状方式进行生长,应变释放过程可以由弹性应变岛的理论体系进行解释。
本实验采用金属盐水解沉淀法，在云母粉表面镀覆tio _ 2 、 fe _ 2o _ 3 、 cr _ 2o _ 3 、 co _ 2o _ 3等不同的系列金属氧化物薄膜，通过实验室和中间试验研究了云母珠光颜料的全部制作过程，并重点研究分析了镀膜过程中偏钛酸沉淀物自ticl _ 4溶液中水解析出的结构变化过程以及焙烧过程中氢(羟)氧化钛缩合脱水生成氧化钛的结构变化过程。
本论文基于激光分子束外延的基本原理,以高能电子反射为主要监测工具,对氧化物薄膜特别是铁电氧化物薄膜异质外延过程中应变行为及其控制方法进行了系统的研究,并取得了一系列有意义的结果,主要包括以下内容:利用反射高能电子衍射( rheed )的信息对薄膜结构进行分析。