沟道效应造句

• 为了使沟道效应最小，GaAs靶应稍偏离离子束的轴向。
• 为了使沟道效应最小， gaas靶应稍偏离离子束的轴向。
• 本文对深亚微米源漏扩展mos器件结构及其可靠性进行了深入研究，首先通过仿真验证了源漏扩展( sde )结构对短沟道效应的抑制， sde区寄生电阻对器件性能的影响以及sde区掺杂浓度的提高对器件性能的改善，指出了器件尺寸进一步减小后，提高源漏扩展区掺杂浓度的必要性。
• 其中，阈值电压模型解决了沟道非均匀掺杂、短沟道效应，调阈值注入，栅边缘电容等问题。该模型不仅适用于ldmos ，也可以很好地描述所有的mos器件阈值电压的短沟道效应，严格证明了短沟道效应会引起阈值电压的减小。
• 通过与体硅bjmosfet比较，讨论和分析了soibjmosfet的优点：无闩锁效应、抗软失效能力强、寄生电容大大降低、热载流子效应减弱、减弱了短沟道效应、工艺简单等。
• 基于能量输运模型对由凹槽深度改变引起的负结深的变化对深亚微米槽栅pmosfet性能的影响进行了分析，对所得结果从器件内部物理机制上进行了讨论，最后与由漏源结深变化导致的负结深的改变对器件特性的影响进行了对比.研究结果表明随着负结深(凹槽深度)的增大，槽栅器件的阈值电压升高，亚阈斜率退化，漏极驱动能力减弱，器件短沟道效应的抑制更为有效，抗热载流子性能的提高较大，且器件的漏极驱动能力的退化要比改变结深小.因此，改变槽深加大负结深更有利于器件性能的提高

• 沟道效应的英语：channel effect
• 沟道效应的法语：effet de rainure
• 沟道效应的日语：チャネリング効果 つうろこうか チャネル効果 チャネルエフェクト チャネルこうか チャネリングこうか