电子崩造句

• 以电子碰撞电离为主，电子崩中电子数目小于10的8次方。
• 电晕是极不均匀电场中所特有的电子崩??流注形式的稳定放电。
• 电晕放电过程中不断进行的流注和电子崩会形成高频电场脉冲，形成电磁污染，影响无线电和电视广播。
• 由于电子的质量比离子小得多，因此，电子移动的速度比离子快许多，形成的电子崩的头部不断向前扩展，最终形成自持性气体放电。
• 虽然他们计算电子崩头部电场的方法不尽相同，推导出不同的计算击穿电压的方程，但是计算得到的击穿电压很相近，与试验比较相符。
• 光电子产生的子电子崩汇集到由阳极生长的放电通道，并帮助它的发展，形成由阳极向阴极前进的流注（正流注），流注的速度比碰撞电离快。
• 20世纪60年代后期，纳秒照相技术发展，使对放电通道的研究有了更深入的发展，发现电子崩进行到一定距离之后，放电通道分别向阳极和阴极发展，其速度比电子崩快。
• 瑞特和米克认为，当电子崩头部的电场比外加电压在间隙中形成的均匀电场更强时，电子崩附近电场严重畸变，电离剧烈，放电可以自行发展成流注，从而导致间隙击穿。
• 在外施电场作用下，电子崩由阴极向阳极发展，由于气体原子（或分子）的激励、电离、复合等过程产生光电离，在电子崩附近由光电子引起新的子电子崩，电子崩接近阳极时，电离最强,光辐射也强。
• 在稍不均匀电场中,例如对SF6气体绝缘，因放电由电子崩阶段转入流注阶段时电子崩的长度很小，因而它的击穿也具有面积效应，即当电极面积增加时，因电极表面严重突出物和其他缺陷出现的概率也大，因而击穿电压下降。
• 如果所加电压超过临界击穿电压（过电压），电子崩电离加强，虽然电子崩还没有发展到阳极附近，但在间隙中部就可能产生许多光电子及子电子崩,它们汇集到主电子崩,加速放电的发展，增加放电通道的电导率，形成由阴极发展的流注（负流注）。
• 其过程大致为：在强电场作用下，气体介质中的电子获得足够的动能，当其与气体分子发生碰撞时，能使中性分子游离为正离子和电子，新形成的电子在电场中又会获得足够的动能去碰撞其他气体分子，发生新的游离，这就是电子崩现象，电子崩由阴极向阳极发展，形成一条具有高电导率的通道，致使气体介质击穿；主电子崩中释放的光子引起二次电离,产生二次电子崩汇入初始电子崩，汇入原始通道，主要构成为大量的正、负带电质点构成的等离子体，即为流注。