电子注入造句

利用衬底热电子注入技术，正电荷辅助隧穿电流可被大大的减弱。
通过计算注入到氧化层中的电子能量和硅衬底的电场的关系表明，热电子注入和fn隧穿的不同可以用氧化层中电子的平均能量来解释。
Lif作为电子注入层，能够明显提高器件的发光效率，降低器件的工作电压； cupc作为空穴注入层能够使器件稳定性提高，但也导致了亮度和效率的下降。
本论文首次提出了一种采用源极诱导带带隧穿热电子注入( sourceinducedband - to - bandtunnelinghotelectroninjection )进行编程操作的新型快闪存储器技术和一种pmos选择分裂位线nor ( pmosselecteddividedbit - linenor )快闪存贮阵列结构。
用溅射制备的薄膜掺入部分杂质对还原性气体进行气敏测试，发现tio _ 2薄膜对酒精气体和氢气有不同的反应机制和电子注入机理，气敏特性也表现出不同，而杂质的引入反而降低了tio _ 2薄膜的敏感性，可能是由于杂质对氧空位的补偿所引起。
本文共分五章：第一章：详细叙述了有机聚合物电致发光器件的研究进展，分析了其作为平板显示的优缺点，介绍了oled结构、发光原理和提高其效率的途径等。第二章：讨论了lif作为电子注入层， cupc作为空穴注入层对器件性能的影响。
用电子注入造句挺难的，這是一个万能造句的方法