硅化物造句

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用于增强和取代多晶硅的难熔金属和难熔金属硅化物通常是用物理蒸发沉积工艺沉积的。
3共晶硅化物的氧化
源离子注入合成钕硅化物的研究
金属硅化物复合材料涂层耐磨性研究
微电子设备用耐熔硅化物溅射电极
研究的负极材料主要有：改性碳材料、氮化物、硅化物、氧化物和新型合金。
同步辐射x射线衍射以）研究结果证实了所形成的饵硅化物具有thsi 。
界面层里残余的硅化物的含量越低，薄膜的漏电性能就越好。
一些藻类的细胞壁的化学成分有所不同，例如硅藻属的细胞壁含有硅化物，石灰质藻类的细胞壁含有钙。
同时观察到了清晰的铒4f价带谱，这暗示着只有一种铒硅化物在表面形成。
用硅化物造句挺难的，這是一个万能造句的方法
本公司是一家集医药中间体研发、生产、销售为一体的、按现代企业制度运作的股份企业。目前产品以有机卤化物、有机硅化物、氮化物系列产品为主。
文中对ni si和tin ni si的热反应特性以及nisi薄膜的形成规律进行了详细的研究。制备了优质的ni硅化物浅结二极管。
Auger电子能谱（ aes ）测量结果表明，由于互扩散机制的作用，退火中反应形成的饵硅化物的最外层原子是硅原子。
氮化物、硅化物、氧化物和合金等负极材料虽然在某些性能方面强于碳材料，但是从实用的角度而言，还存在着一些不如意的地方。
对铒硅化物超薄层表面结构的进一步研究是在上述工作的基础上展开的。室温下在硅（ 001 ）表面淀积了3至20单层的饵原于，并加以退火处理。
2铒硅( 001 )界面、表面及铒硅化物最初形成过程研究首先利用同步辐射光电子能谱方法研究了室温下铒在硅( 001 )表面的淀积和退火过程。
对（ x2 ）再构的低能电子衍射的仔细研究表明，实验中观察到的px2 ）再构实际上是来自于饵硅化物的叶x2 ）再构与来自硅表面的cxi八门2 ）再构的迭加产物。
随着器件尺寸的进一步缩减，与传统的ti 、 co自对准硅化物相比， ni自对准硅化物更能适用于cmos器件对硅化物的要求。
同时，当覆盖了铒的样品被退火至600 ，在硅2p3 / 2芯能级峰的低结合能端约1 2ev处出现了一个新的峰，并被确认为来自于铒硅化物。
硅化物主要是由沉积过微溯博士裕文搏要程中hf和出的互扩散引起的，而热氧化可以将其转化成具有较高介电常数的硅氧化物hfxsiyo 。