硅单晶造句

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用光电导衰减法测量硅单晶中少数载流子的寿命
掺硼碜磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
最后文章还系统研究了快速热处理( rtp )对重掺硼硅单晶中氧沉淀的影响。
对rtp消除微氮硅单晶中氮氧复合体的研究，不仅具有创新性，而且具有重要的实践意义。
文中详细的阐述了采用ni si和tin ni si结构通过rta在硅单晶< 100 >衬底上制备nisi薄膜的方法。
重掺砷硅单晶在中高温退火时形成密度较高的氧沉淀及诱生缺陷。
半导体工艺材料的试验.硅单晶中载流子寿命的测量.用
用硅单晶造句挺难的，這是一个万能造句的方法
普通直拉硅氧沉淀在低温750形核，重掺as硅单晶形核温度较高，在750 - 900之间。
经多次试验成功地拉制出了200mm的低氧碳太阳能级硅单晶，并与生长150mmczsi单晶的16 ”热系统进行了试验对比。
同时微氮硅单晶由于其较强的机械强度和内吸杂能力等优点是目前研究的热点，也是我们实验室的特色。
我们都知道，硅单晶材料在常温下的典型的脆性材料，其断裂的不可预知性和瞬间性导致它产生的破坏是巨大的。
本文从硅材料的基本概念入手，阐述了硅单晶材料的脆性断裂、脆塑转变以及在热处理过程中的翘曲研究，并通过这三个部分进行实验。
本文研究了直拉重掺硼单晶硅的氧沉淀行为，着重研究了直拉重掺硼硅单晶中的氧沉淀的热处理、内吸杂、 rtp处理等性能。
由通过隧道电镜（ tem ）决定的膜厚和已知材料的密度（因为薄膜为硅上外延，密度与硅单晶相同），决定了锗的浓度。
重掺砷硅衬底片正日益受到器件厂家的青睐，所以研究重掺砷硅单晶中的氧沉淀及诱生缺陷对实现重掺衬底的内吸除有重大意义。
另一方面，在相同的晶体生长条件下，重掺硼硅单晶氧含量升高，氧沉淀被增强，能形成有效吸杂点，提高硅片机械强度，抑制void缺陷，有利于提高ulsi的成品率。
随着集成电路向着甚大规模集成电路( ulsi )日新月异的发展，作为衬底材料的硅单晶片的尺寸越来越大，特征尺寸也不断减小，对硅衬底抛光片的抛光质量的要求也越来越高。