磷硅玻璃造句

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磷硅玻璃已成为重要的第二层钝化膜。
磷硅玻璃
去除硅片表面氧化层及扩散时形成的磷硅玻璃（磷硅玻璃是指掺有P2O5的SiO2层）。
可在生长磷硅玻璃后先开一次孔，然后再磷硅玻璃回流及结注入推进后再开第二次孔。
前者，在淀积的同时导入PH3气体，就形成磷硅玻璃（PSG：phosphor silicate glass）再导入B2H6气体就形成BPSG(borro?phosphor silicate glass)膜。
BPSG与PSG（磷硅玻璃）一样，在高温下的流动性较好，广泛用作为半导体芯片表面平坦性好的层间绝缘膜。
这第三层介质膜可以是磷硅玻璃、低温淀积二氧化硅、化学气相淀积氮化硅、三氧化二铝或聚酰亚胺。
另一种常用的生长磷硅玻璃的方法是化学汽相淀积法,即把磷烷PH3加到硅烷SiH4和氧的反应过程中，反应温度为400～500℃。
在形成金属化层以前，在第一钝化层上再生长第二钝化层，主要由磷硅玻璃、低温淀积二氧化硅等构成，能吸收和阻挡钠离子向硅衬底扩散。
以后研究出多种表面钝化膜生长工艺，其中以磷硅玻璃(PSG)、低温淀积二氧化硅、化学汽相淀积氮化硅(Si3N4)、三氧化二铝(Al2O3)和聚酰亚胺等最为适用。
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1964年，发现硅在热氧化过程中通入少量三氯氧磷蒸汽后生成的二氧化硅膜具有磷硅玻璃特性，能捕获钠离子和稳定钠离子的污染作用，大大改善了器件的稳定性。
其中的磷烷是半导体器件制造中的重要N型掺杂源，同时磷烷还用于多晶硅化学气相沉淀、外延Ga P材料、离子注人工艺、MO CV D工艺、磷硅玻璃(PSG)钝化膜制备等工艺中。
在实际的器件表面钝化工艺中，为充分利用各种介质膜的特性，通常选用多层结构的钝化膜，如二氧化硅-磷硅玻璃-二氧化硅或二氧化硅-氮化硅-三氧化二铝结构等。
四氟化碳是目前微电子工业中用量最大的等离子烛刻气体，其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯阳氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的烛刻。
四氟化碳是目前微电子工业中用量最大的等离子蚀刻气体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅，磷硅玻璃及钨等薄膜材料的蚀刻，在电子器件表面清洗，太阳能电池的生产，激光技术、气相绝缘、低温制冷、泄漏检验剂、控制宇宙火箭姿态，印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。
四氟化碳（四氟甲烷）是目前微电子工业中用量最大的等离子蚀刻气体，其高纯气及四氟甲烷高纯气配高纯氧气的混合气，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨等薄膜材料的蚀刻，在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术、气相绝缘、泄漏检验剂、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。