结深 造句
测试结深 的另一种方法 通过对4h - sicmps击穿特性的二维模拟，提出如何选择合适的pn结深 度、外延层掺杂浓度和厚度以及如何运用jte终端技术来提高击穿电压。 其实洋紫荆是不育的树，基本上不结种子，繁殖只靠插枝等方法，羊蹄甲则会结深 色的荚果，所以树上有荚果的是羊蹄甲，没有的是洋紫荆。 比较了两种商业太阳电池的杂质浓度分布及结深 情况；叙述了铝背场的作用及形成原理，对影响铝背场表面浓度和结深的参数作了分析。 总结深 圳、武汉混凝土生产配合比，分析lc - hpc配合比设计中各组分关系，提出降低生产成本措施并将之转化应用，单方成本降低8元以上。 基于此模型，提出在对正反向特性进行折衷时，如何选择合适的外延层掺杂浓度和厚度、肖特基接触和pn结网格宽度、 pn结深 度和掺杂浓度。 此工艺发明以来，克服了上述两者的弊端，杂质浓度和结深 能准确控制而又能任意调整，可进行低、高浓度阶段性掺杂，得到元素ga在si中的理想分布，而且表面浓度均匀一致、重复性好、合格率和优品率高，改善和提高了器件的综合性能。 在对感光单元进行器件物理结构优化的研究中，通过采用深结深 光电管结构，提高了传感器的感光响应，其中p m阶”衬底结构的传感器面积为100umx100urn ，感光面积百分比为77石，可对0刀98 ， 000lx照度的目标信号进行传感，感光灵敏度大于3sv ix ? s ，采用了变频两次扫描后，动态范围可达139 最后，将银山矿床流体包裹体特征与sillitoe提出的斑岩铜矿成矿模式进行对比得出，银山矿床的成矿流体与斑岩铜矿的成矿流体具有特征的相似性和成矿演化的继承性，认为它是一个联结深 部斑岩铜矿和浅部浅成热液矿床的“过渡型矿床” ，矿床深部可能隐伏有斑岩铜矿床。 基于能量输运模型对由凹槽深度改变引起的负结深 的变化对深亚微米槽栅pmosfet性能的影响进行了分析，对所得结果从器件内部物理机制上进行了讨论，最后与由漏源结深变化导致的负结深的改变对器件特性的影响进行了对比.研究结果表明随着负结深(凹槽深度)的增大，槽栅器件的阈值电压升高，亚阈斜率退化，漏极驱动能力减弱，器件短沟道效应的抑制更为有效，抗热载流子性能的提高较大，且器件的漏极驱动能力的退化要比改变结深小.因此，改变槽深加大负结深更有利于器件性能的提高 用结深 造句挺难的，這是一个万能造句的方法 本文在总结深 基坑工程设计与施工实践的基础上，提出了基坑支护设计方案优选方法，以变形控制为主对基坑支护设计方法进行了探讨，分析基坑水平位移、垂直沉降与基底隆起的有机联系，总结分析了影响围护结构变形的影响因素，阐述了变形控制设计的基本原理与主要内容。
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