负栅造句

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2?负栅偏压减少，或无负栅偏压，或出现正栅偏压。
IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。
如果该电容漏电，还会使下一级电子管的负栅偏压变小，甚至变成正电压，产生栅流，引起失真。
因屏压、帘栅压、灯丝电压过高，或负栅偏压太小，静态屏流过大，甚至静态时，也会使屏极发红。
无负栅偏压的原因可能是：输入变压器中心抽头断路；偏压电源滤波电容器短路；偏压负载电阻损坏。
，如果输入讯号电压峰值大于负栅偏压时，功率管将出现栅流，由于这类工作状态的栅路内阻较大，因此容易引起失真。
3?固定负栅偏压过高或过低，使电子管的工作点发生变化，或输入讯号过大等，都能使电子管工作于非线性部分，引起失真。
NBTI效应是指在高温下对PMOSFET施加负栅压而引起的一系列电学参数的退化（一般应力条件为125℃恒温下栅氧电场，源、漏极和衬底接地）。
整流管或偏压电源变压器损坏；自给负栅偏压阴极旁路电容击穿；栅极电阻或输入变压器次级断路；管座损坏，使栅极管脚与管座脱离。
在零栅压或很小的负栅压时，沟道区已全部耗尽，呈夹断状态，靠近源极一侧的沟道中出现呈马鞍形分布的势垒，由源极流向漏极的电流完全受此势垒的控制。
用负栅造句挺难的，這是一个万能造句的方法
负栅偏压减少的原因可能是：负偏压电源滤波电容器失效或容量减少；分压负载电位器中心滑片调得过低；整流管衰老；偏压电源变压器次级局部短路；自给栅偏压的阴极旁路电容器漏电严重；输入变压器的初级和次级（或耦合电容器）轻微漏电等问题。
传统的R-D模型将NBTI产生的原因归结于pMOS管在高温负栅压下反型层的空穴受到热激发，遂穿到硅/二氧化硅界面，由于在界面存在大量的Si-H键，热激发的空穴与Si-H键作用生成H原子，从而在界面留下悬挂键，而由于H原子的不稳定性，两个H原子就会结合，以氢气分子的形式释放，远离界面向/栅界面扩散，从而引起阈值电压的负向漂移。