辐照剂量造句

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实验结果显示，辐照剂量增加，热释光发射随之增强，并在所研究的剂量范围内呈线性变化。
薄膜样品在太阳光辐照下同样有荧光增强行为，预示该样品可以作为一种紫外辐照剂量的记录材料。
由于辐照剂量高，若用现有的质子或中子源进行辐照需要几百天时间。采用重离子辐照模拟，仅需几个小时至几十个小时即可达到所需的辐照剂量，大大缩短分析测试周期。
另外，快中子辐照对于直拉硅的间隙氧含量有很大影响，间隙氧含量随着辐照剂量的增加而减少，这主要归于样品中产生了大量的( v - o )复合体。
测量结果表明，钨经过20dpa的辐照后，产生较大尺度的空洞；普通不锈钢经22 . 8dpa的辐照后，出现包含10空位的空位团；国产改进型316l不锈钢经30dpa辐照剂量后，仅产生五空位构成的空位团。
用辐照剂量造句挺难的，這是一个万能造句的方法
本研究采用了dna解旋荧光法检测由射线所致的dna链断裂的损伤程度以及抗辐射菌lexa蛋白的辐射防护作用，在辐照前加入不同浓度的lexa蛋白，检测dna链的断裂，结果表明dna链的断裂程度随着射线辐照剂量的增加而增强，抗辐射菌lexa蛋白对射线所致dna链断裂的修复不起作用，进一步说明抗辐射菌lexa蛋白不起辐射防护作用。
本工作采用重离子辐照模拟和正电子湮没寿命测量技术研究了加速器驱动洁净能源系统( ads )散裂中子源束窗材料钨、普通不锈钢和国产改进型316l奥氏体不锈钢在0 30dpa辐照剂量范围的辐照效应，并对它们的抗辐照性能作了比较。
在此基础上，对bf _ 2 ~ +注入硅栅si sio _ 2系统低剂量率辐照效应进行了深入系统的研究，着重研究了bf _ 2 ~ -注入mos管阈值电压漂移( vth和vit 、 vot )与辐照剂量率、辐照总剂量、辐照温度、偏置电场、器件结构以及退火条件的依赖关系。
根据uv ? vis ? nir光谱中的干涉条纹，计算出了y射线辐照下a - sic ： h薄膜的折射率及其变化趋势，并由此得出y射线辐照导致其氢含量变小及红外透过率变小的结论。有趣的是：还首次用raman光谱观察到了dlc薄膜中sp ~ 3c - h键随辐照剂量改变的变化规律，扩大了其在结构分析领域中的应用。