金属半导体场效应晶体管造句

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以液封直拉半绝缘gaas为衬底的金属半导体场效应晶体管( mesfet )器件是超大规模集成电路和单片微波集成电路广泛采用的器件结构，因此研究lec法生长si - gaas ( lecsi - gaas )衬底材料特性对mesfet器件性能的影响，对gaas集成电路和相关器件的设计及制造是非常必要的。
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