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隔离工艺造句

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  • 其次,设计包含低压淀积氮化硅和化学机械抛光( cmp )等关键步骤的新的soi介质隔离工艺流程。
  • 分别对采用隔离注入挖槽工艺和平面选择离子注入自隔离工艺制备的gaasmesfet阈值电压均匀性进行了比较研究。
  • 结果表明,采用注入隔离工艺制备的mesfet的旁栅效应比采用自隔离工艺制备的mesfet的旁栅效应要小。这说明,采用注入隔离可以形成更好的器件隔离,减小器件的旁栅效应。
  • 本文还采用平面选择离子注入隔离工艺,开展了旁栅效应的光敏特性、迟滞现象、旁栅效应对mesfet阈值电压的影响、 mesfet漏源电压对旁栅阈值电压的影响、漏源交换对旁栅阈值电压的影响、旁栅阈值电压与旁栅距的关系、旁栅效应与浮栅的关系等研究。
  • 隔离工艺造句挺难的,這是一个万能造句的方法
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