高能电子衍射造句

• 高能电子衍射仪
• 首先,通过原位高能电子衍射( rheed )及x光电子能谱( xps )研究了氧分压对lno导电薄膜微结构的影响,并进一步提出了氧分压对lno薄膜微结构的影响的机理。
• 本文是关于硅( 001 )衬底与电子束淀积的铒、铪原子反应形成的超薄膜的界面与表面性质的研究，以及在该衬底上出现的共振光电子发射现象，包括了以下四个方面的工作： 1铒导致的硅( 001 )衬底上的( 4 2 )再构研究利用反射高能电子衍射和低能电子衍射，在室温淀积了0
• 此外,本文通过反射式高能电子衍射( rheed )监测了gasb外延薄膜的生长,利用rheed强度振荡的计算机采集系统实现了rheed图像和rheed强度振荡的实时监测。实验发现在400生长的gasb薄膜为非晶态,温度升高到500薄膜转变为单晶。利用原子力显微镜对不同生长速率和衬底温度生长的gasb薄膜的表面形貌进行观察分析,并与模拟结果进行比较。
• 本论文基于激光分子束外延的基本原理,以高能电子反射为主要监测工具,对氧化物薄膜特别是铁电氧化物薄膜异质外延过程中应变行为及其控制方法进行了系统的研究,并取得了一系列有意义的结果,主要包括以下内容:利用反射高能电子衍射( rheed )的信息对薄膜结构进行分析。
• 本论文主要论述了在espd - u装置上，采用电子回旋共振等离子体增强mocvd ( ecr - pamocvd )方法，在蓝宝石衬底上通过s - k模式自组装生长gan aln量子点结构的生长工艺、结果及讨论。而重点分析了自组装生长量子点之前的aln外延层生长工艺，包括衬底清洗、氮化、缓冲层的生长和gan 、 aln外延层的生长；通过高能电子衍射、 x射线衍射和原子力显微镜测试，并且对这些测试结果进行了详细的比较研究，得出了较优化的工艺条件，生长出了晶质较好、表面较平整的aln外延层；进而采用s - k模式自组装生长了gan aln量子点结构。由于实验装置加热炉温度的限制，我们没有能够生长出原子级平滑的aln外延层表面，因而没能够生长出密度比较大和直径比较小的量子点。
• 利用高能电子衍射、电化学c - v 、扫描电镜( sem ) 、 x射线双晶衍射仪、光荧光谱仪( pl ) 、原子力显微镜等多种方法对制备的器件进行了检测，同时对实验结果进行了必要的分析。

• 高能电子衍射的英语：high energy electron diffraction
• 高能电子衍射的日语：こうそくでんしかいせつ