俘获载流子造句

• 俘获载流子    陷阱在浮获载流子之前是电中性的,但是在俘获载流子之后就带电了,在其周围形成一个多子势区,阻挡载流子从一个晶粒向另一个晶粒运动,导致载流子迁移率下降,导致tft的电学性能下降。 分析表明，反向预闪络现象与材料的陷阱分布有关，试样中电极附近的陷阱中心俘获载流子后所形成的空间电场的作用是产生这一现象的原因；预闪络现象和表面带电现象都是由于绝缘子表面陷阱中心俘获载流子形成空间电场造...
• 光生载流子    液晶光阀的分辨率与许多因素有关，而光导层光生载流子的横向扩散则是其中的重要因素之一。 光电导体内的电场是偏置电场、光电导体内光生载流子的空间瞬态分布所形成的空间电荷电场等叠加形成的合电场。 摘要对一维情况下平面pn结的连续性方程进行了求解，给出了不同边界条件下光生载流子浓度的一般形式解，并对结果进行了分析讨论。 这种各向异性的柱状结构复合光导膜有利于减小光生载流子的横向扩散...
• 光电载流子    ；当有光照时，载流子被激发，产生电子-空穴，称为光电载流子。 在外电场的作用下，光电载流子参于导电，形成比暗电流大得多的反向电流，该反向电流称为光电流。
• 半导体中的载流子    对于半导体中的载流子，室温下的热运动速度大约为107cm/s。 当然，对于半导体中的载流子，它们的漂移和扩散之间，也必将满足Einstein关系。 导体中的载流子是自由电子，半导体中的载流子则是带负电的电子和带正电的空穴。 因为n-型半导体中的载流子主要是电子（即电子是其中的多数载流子），所以n-型半导体的导电主要是电子导电。 半导体中的载流子寿命就是非平衡载流子存在的平均...
• 半导体载流子    迁移率是反映半导体载流子导电能力的重要参数。 由于半导体载流子浓度与温度有关，还会产生显著的塞贝克效应。 在经典物理图像中，为了克服势垒，半导体载流子必须获得足够的能量才能从费米能级跳到弯曲的导带顶。 与法国数学家Pierre Degond教授合作，在国际上首次建立了半导体超晶格框架下的半导体载流子量子传输的微观散射模型和宏观SHE模型。 但是有机半导体载流子迁移率较低，稳...
• 多余载流子    存储现象实质上是电路在开关转换过程中由多余载流子所引起。 但是在进一步探索提高电路速度时，发现晶体管多余载流子的存储效应是一个重要障碍。 在进一步探索提高饱和型电路开关速度的同时，发现晶体管多余载流子的存储效应是一个极重要的障碍。 这些多余载流子的产生，是由于过驱动电流导致晶体管进入饱和状态，多余的载流子又来不及复合消失，势必存储在晶体管区内。 要提高电路开关速度,除了减少...
• 多数载流子    用于修饰或说明其中既有多数载流子又有少数载流子的半导体器件。 多数载流子-一种载流子，在半导体材料中起支配作用的空穴或电子，例如在n型中是电子。 肖特基二极管是利用金属与半导体之间接触势垒进行工作的一种多数载流子器件，与普通的pn结二极管相比，它具有正向导通电压低，响应速度快等优良特性。
• 少数载流子    用光电导衰减法测定锗中少数载流子寿命 用光电导衰减法测量硅单晶中少数载流子的寿命 用于修饰或说明其中既有多数载流子又有少数载流子的半导体器件。 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 通常的太阳电池收集的少数载流子要么是产生于p - n结,要么是少数载流子距离结的距离必须小于其扩散长度。 但是，其开关功耗随着开关频率的提高而增大以至于不得不采用寿命控制技术(掺金、铂和辐照...
• 少数载流子存储效应    ③SIT是一种无基区晶体管，没有基区少数载流子存储效应，开关速度快。
• 少数载流子寿命    用光电导衰减法测定锗中少数载流子寿命 少数载流子寿命越长，扩散长度就越大。 因此，要求基区的少数载流子寿命越长越好。 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 因此，这种半导体的少数载流子寿命一般都比较短。 三是能起到复合中心作用，使少数载流子寿命降低。 1971年主持完成“光电导半导体少数载流子寿命测试仪”的研制。 硅单晶的非平衡少数载流子寿命较长,在几十微秒至1毫秒之间...
• 平衡载流子    平衡载流子寿命和载流子迁移率。 )、非平衡载流子寿命、位错密度。 载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。 杂质能级积累某一种非平衡载流子的效应。 陷阱效应是在有非平衡载流子时发生的效应。 τ：非平衡载流子平均寿命，在这里称时间常数。 比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。 为了提高非平衡载流子的寿命，也必须降低缺陷态密度。 在电场作用下，非平衡载流子同时参与导电，构...
• 本征载流子    /比对外延层的表面形貌有较大影响，增大/比有利于提高材料的结晶质量；随着/比增加，迁移率升高；本征载流子浓度随着/比减少而降低； ash _ 3和ph _ 3转换时间在10秒到30秒之间可以获得质量较好的ingaas外延层；在inp缓冲层厚度为0 . 2 m时迁移率达到最大，载流子浓度达到最低。
• 漂移载流子    通有电流的导体，在垂直磁场作用下，由于磁场对漂移载流子的偏转力而产生的侧向的电压，称为霍耳效应。
• 热载流子    2应力模式下应力相关的热载流子退化 本文提出了一个全新的热载流子增强的超薄栅氧化层经时击穿模型。 与通常的fn应力实验相比较，热载流子导致的超薄栅氧化层击穿显示了不同的击穿特性。 在热载流子应力条件下,器件的退化主要是由于在漏极附近由热载流子产生的损伤缺陷引起的。 对抗热载流子退化的mos器件lddnghtlydopeddrain ）结构及栅氧化层加固技术也作了简单的介绍。...
• 热载流子效应    但是，有的热载流子效应却具有很大的害处。 这些热载流子效应所造成的影响，有的是很有用处的。 热载流子效应是限制器件最高工作电压的基本因素之一。 在通常的工作条件下，氧化层的经时击穿和热载流子效应总是同时存在的。 衬底电流越大，说明沟道中发生的碰撞次数越多，相应的热载流子效应越严重。 例如在VLSI中，热载流子效应往往就是导致器件和集成电路产生失效的重要原因，所以是需要特别注...
• 热载流子二极管    （接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
• 热载流子注入    因此，无论是1 / f噪声功率谱的测试还是由其时间序列提取得到的相似系数均可以作为经济、有效、完全非破坏性的工具，替代传统的电特性用于检测静电引起的mos器件潜在损伤以及热载流子注入损伤。 测试内容上着重介绍了金属化完整性测试、氧化层完整性测试、连接完整性测试和热载流子注入测试，根据测试数据，对1 . 0 m工艺线单一失效机理的可靠性进行了评价，对不同测试结构的作用进行了说...
• 电子载流子    杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子。 这种能提供电子载流子的杂质称为施主，相应能级称为施主能级。 ，即是把一个电子载流子从半导体内部拿到真空中去所需要的能量。 。这种能提供电子载流子的杂质称为施主，相应能级称为施主能级。 能提供电子载流子的杂质称为施主(donor)杂质，相应能级称为施主能级,位于禁带上方靠近导带底附近。 在本征激发的条件下所产生的自由电子，将在电...
• 电荷载流子    电荷载流子密度梯度 电荷载流子分布
• 电荷载流子分布    电荷载流子分布
• 电荷载流子密度梯度    电荷载流子密度梯度
• 空穴载流子    应用mg离子注入获得高表面空穴载流子浓度p -型gan 应用mg离子注入mocvd法生长掺杂mg的gan中，在经过800 , 1h的退火后，获得高空穴载流子浓度8 . 2810 的p -型gan 。首次报道了实验上通过mg离子注入到mg生长掺杂的gan中并获得高的表面空穴载流子浓度。
• 自由载流子吸收    比，说明这种吸收是自由载流子吸收引起的。 自由载流子吸收是重要的和最普通的一种带内电子跃迁光吸收过程。 此外,尚有杂质吸收、自由载流子吸收,多晶体中晶粒间界的散射所引起的辐射衰减也相当于吸收。 当入射光子能量不够高，不足以引起带间跃迁或激子吸收时，可以发生自由载流子在同一能带中的跃迁吸收，称做自由载流子吸收。 光与非晶态半导体作用所产生的光吸收包括本征吸收、激子吸收、自由载...
• 自由载流子浓度    例如在不同波长的光照下能产生光电效应，这时电子吸收光能，导致自由载流子浓度增大，从而电导率增大，称为光电导性。 3)、高迁移率TCO薄膜：在吸收不是非常严重的情况下，TCO薄膜对可见光的吸收是随着自由载流子浓度的增大而增大，但随着载流子迁移率的增大而减小，TCO薄膜的透明区域波长上限主要由载流子浓度确定，随着它的增大而减小，故采用提高载流子迁移率的方法来降低TCO薄膜的电阻...
• 负载流子    前者为la ~ ( 3 + )和氧空位等产生的p型载流子和mn离子变价引入的n型载流子在外电场下发生局域重排产生的载流子极化，且由于正负载流子的迭加效应所致，该介电峰与mn离子的掺入相关；后者为体系出现相应的正交与立方结构的转变所致，也即居里点。