倾角离子注入造句

• 倾角离子注入    作为第一完成人完成的“粒子与光电材料相互作用的应用基础研究”获2005年国家自然科学奖二等奖；“离子注入光波导和缺陷研究”获2001年教育部中国高校科学技术奖（自然科学奖）一等奖；“倾角离子注入的横向离散和损伤研究”获1996年山东省科学技术进步奖二等奖；第二完成人完成的“载能离子与固体材料相互作用实验与理论研究”获1991年山东省科学技术进步奖一等奖。
• 中电流离子注入机    中电流离子注入机
• 中能量离子注入机    中能量离子注入机
• 低能离子注入    低能离子注入对聚苯胺薄膜的改性研究 低能离子注入对聚吡咯甲烯的改性 由此可见，低能离子注入不仅可以引起拟南芥苗的生长状态和表型的变异，而且部分变异是可以稳定遗传的。 同时，纤维分解细菌的低能离子注入研究，对于更深入地研究离子束生物学效应，拓展离子束生物技术在工业微生物育种的应用范围有一定的意义。 通过本文的研究，主要取得了如下的结果：首先，对不同剂量的低能n ~ +处理的拟...
• 低能量离子注入机    低能量离子注入机
• 小电流离子注入机    小电流离子注入机
• 注入等离子体    目前最有效的加热法是注入中性束，即把高能的中性粒子束（如氘粒子束）透过磁场注入等离子体，从而提高等离子体的温度。 1968年-1975年在中科院北京电子所从事微波管研制；1976年起在等离子体所工作，其间在德国马普等离子体所工作两年多，从事中性束注入等离子体研究。
• 注入离子    首次做了选择一种原子团作为注入离子的尝试。 注入离子种类对尼龙6表面纳米硬度的影响及机理分析 退火对离子注入后的非连续多层膜gmr效应的影响比未注入离子的非连续多层膜gmr效应的影响显著。 通过比较几种不同类型的聚合物材料在注入前后表面硬度的变化，分析注入离子种类、注入能量、注入剂量等工艺参数对聚合物的影响。 通过扫描电镜对离子注入后的拟南芥种子的观察发现，经离子注入过的种...
• 硼离子注入    此外提出了利用硼离子注入缺陷工程改变硅的能带结构，将硅pn结发光二极管的量子效率提高了三个量级，达到0.15%。 这种方法所形成的SiO2膜是以半埋入方式存在的，则出现的台阶高度比较小；而且SiO2膜和沟道阻止层（Si3N4膜掩蔽进行硼离子注入）都可用同一块掩模来进行自对准。
• 离子束注入    氟氏链霉菌离子束注入突变谱的分析 目前,用离子注入的方法在cdte薄膜中掺杂的文献报道的很少。本工作目的就是采用离子束注入的方法对纯cdte薄膜进行不同金属元素的掺杂及热处理,研究其结构和光电特性。 离子束生物技术是一种新型的生物诱变技术，它是通过将低能离子束注入生物体内，来研究其生物学效应和作用机理，并将它应用于遗传育种和基因工程等方面的一种综合技术。 以拟南芥为对象做离...
• 离子注入    离子注入材料表面改性技术 离子注入机通用技术条件 离子注入甜菊的诱变效应研究 离子注入聚合物的分形生长 离子注入技术改性聚合物薄膜的研究进展 离子注入单晶氧化铝的光学性能研究 离子注入表面摩擦学改性及其应用 快速退火炉离子注入退火工艺设计 源离子注入合成钕硅化物的研究 等离子体浸没离子注入绝缘材料的研究 离子注入层的欧姆接触的制备 小电流离子注入机 硅离子注入聚合物摩擦特性...
• 离子注入气    掺杂气、离子注入气、光导纤维制造、烟熏剂。 离子注入工艺所用气体称离子注入气，有磷系，硼系和砷系气体。
• 离子注入氧化物    在国际上首次提出了“高能重离子低剂量”形成波导区折射率增加型光波导的新原理、新模式和新方法，并成功研制了高质量、低损耗的铌酸锂晶体的条形光波导和分支器；利用MeV离子注入的方法首次在一系列氧化物光电晶体中形成光波导结构，约占国际上离子注入氧化物光电晶体光波导总数的1/3；对波导特性进行了深入的研究，揭示了离子注入光波导结构的形成机理，拓展了MeV离子注入在集成光子学的应用。...
• 离子注入机    离子注入机通用技术条件 离子注入机靶室尘埃污染与系统改造 Meeva离子注入机-产品廊-口市比特真空技术有限公司 Meeva离子注入机是我所研发成功的一种先进的离子注入材料表面改性用离子注入机。 Mevva离子注入机突出的优点有：强束流：高电荷态高纯度引出离子种类多大面积引出稳定可靠，易操作。 真空镀膜机,真空镀膜设备,扩散泵,真空电镀厂,真空镀膜,离子注入机,真空热处理,...
• 离子注入剂量    附加电极半径对空心圆管端点附近离子注入剂量的影响 我们从另外一个角度出发，在离子注入剂量-拟南芥菜存活曲线的基础上，选择不同的离子剂量介导薄荷全dna转化拟南芥菜，根据各个转化群体在遗传和生理上的不同变化，选择1 . 5 10 ~ ( 17 ) ions cm ~ 2作为我们以后转化工作的转化剂量。
• 离子注入层    离子注入层的欧姆接触的制备
• 离子注入损伤    研究离子注入损伤及退火行为，提出了用二氧化碳激光从背面照射进行退火及合金化的新方法。 七十年代以后在离子束材料改性、合成、加工和分析等方面进行了系统的研究工作，独创了用二氧化碳激光背面辐照获得离子注入损伤的增强退火效应，用全离子注入技术研制成我国第一块120门砷化镓门阵列电路，用反应离子束加工成我国第一批闪光全息光栅，研究SOI材料并制成CMOS/SOI电路，发展了离子束增...
• 离子注入技术    离子注入技术改性聚合物薄膜的研究进展 离子注入技术在航空钛合金防氧化中的应用 （2）“MEVVA源金属离子注入技术及工业应用”。 电子阻止本领（Electron stopping power）是离子注入技术中的一个术语。 离子注入技术在控制Vth（阈值电压）方面应用得最为广泛。 离子注入技术：把掺杂剂的原子引入固体中的一种材料改性方法。 用全离子注入技术研制成我国第一块一百...
• 离子注入掺杂    ⑥离子注入掺杂深度小。 同时，还与第四十八研究所合作在国内最先开展离子注入掺杂新工艺技术研究。 与超精细光刻技术配合的超微加工技术还有自对准技术、离子注入掺杂、激光淀积布线。 这种技术广泛应用于微电子器件加工、集成电路制造、微细图案刻蚀、离子注入掺杂、薄膜的沉积等加工与表面改性领域。 离子注入掺杂在半导体大规模集成电路的生产中已成为重要环节，用离子注入法取代旧的扩散等工艺在...
• 离子注入结    本文详述了国内外离子注入结构陶瓷表面改性的研究现状，并对其改性机理进行了初步探讨。
• 离子注入法    3 .研究了离子注入法形成sigehcmos的双阱及源漏工艺。确定了注入的离子类型、剂量、能量等关键参数。 本论文利用不同掺杂方法进行了掺mngaas这种dms材料样品的制备，首先利用离子注入法对砷化镓( gaas )材料进行不同剂量的锰( mn ~ + )离子注入，其中包括加碳( c )的双离子注入，然后在不同温度下进行快速退火处理；此外还利用扩散法对gaas晶片进行不同...
• 离子注入工艺    掺杂-把搀杂剂掺入半导体，通常通过扩散或离子注入工艺实现。 掺杂-把搀杂剂掺通，体导半入常通过扩散或离子注入工艺实现。
• 等离子体注入    本文对用ecr等离子体注入氮改性纳米tio _ 2的光吸收进行了广泛深入的研究。 首次研究了碳等离子体注入对多孔硅的改性，得到了强蓝光发射，详细研究了退火温度对发光强度的影响，发现在400时达到最大值，并探讨了相关的机理。
• 等离子体注入器    在最新的固体电热化学炮中，由于原来的等离子体注入器被功率点火器取代，对电能的需求又有所降低。
• 高能离子注入    聚合物材料经高能离子注入后其电导率、表面硬度、耐磨性等性能都得到了提高。