光学掩模版造句

• 光学掩模版    ；(2)使给定厚度抗蚀剂胶膜恰好不溶解复制一个负性光学掩模版。
• 光学掩模    ；(2)使给定厚度抗蚀剂胶膜恰好不溶解复制一个负性光学掩模版。
• 光刻掩膜版    在此基础上进行了结构优化设计和工艺设计，研究了锥尖成形工艺和“多掩膜无掩膜”腐蚀工艺，根据工艺流程绘制出光刻掩膜版图，为该传感器的研制奠定了一定的基础。
• 掩膜版    按照顺序从每一块掩膜版上将图形一层一层地转移到硅片的表面，就制得了成品集成电路。 除提供芯片生产,中芯国际还为客户提供全方位的一站式服务,包括辅助设计、光掩膜版制造以及硅圆片上测试。 在此基础上进行了结构优化设计和工艺设计，研究了锥尖成形工艺和“多掩膜无掩膜”腐蚀工艺，根据工艺流程绘制出光刻掩膜版图，为该传感器的研制奠定了一定的基础。
• 中间掩模    通常，这种中间掩模版比实际芯片尺寸大10倍。 然后，通过大型初缩机照相缩小成中间掩模版。 通常是由中间掩模版经过精缩机进一步缩小到芯片实际尺寸的图形。 然后利用缩微照相技术或图形发生系统制作掩模原版，亦称中间掩模版。 为了能在同一个硅片上同时制作多个电路芯片而且又便于切割成单个芯片，中间掩模版的图形还要用具有分步重复功能的精密缩小照相机进一步缩小到实际芯片尺寸。 尤其是电子...
• 光刻掩模    集成电路工业中用于半导体原材料和所用器皿的清洗、光刻掩模版的制备和硅片氧化用的水汽源等。 按照线路要求和工艺条件设计元件的图形和尺寸，并进行布局和布线，同时设计出一套光刻掩模版图形。 制造厂根据用户事先提供的存储内容来设计光刻掩模板，用制造或不制造存储元件的方法来存储信息，这类ROM称为“掩模型只读存储器”，简称MROM。 NRE表示在固定逻辑器件最终从芯片制造厂制造出来以...
• 光掩模    圆形石英玻璃光掩模基板规范 光掩模对准标记规范 硬面光掩模用铬薄膜 光掩模缺陷分类和尺寸定义的准则 硬面光掩模基板 用光掩模原版校准检验激光绕射粒子定尺寸仪器的试验方法 对全息光刻的原理、理论、实现方法及传统光掩模?全息掩模?抗蚀剂图形传递机理进行了深入的研究，设计和建立了采用直角棱镜和折射率匹配液的全内反射波前共轭全息光刻实验系统，进行了实验研究。
• 光掩模对准标记规范    光掩模对准标记规范
• 光掩模图形    然后，再利用各种光刻设备把光掩模图形转移到硅片表面的光致抗蚀层上。 到80年代初，采用这些技术已制作出最细加工线宽为1.3～2.5微米的256千位动态随机存储器芯片，这已接近光掩模加工技术和光掩模图形转移技术的极限。
• 变长子网掩模    Enhanced IGRP与其它路由选择协议之间主要区别包括：收敛宽速（Fast Convergence）、支持变长子网掩模（Subnet Mask）、局部更新和多网络层协议。
• 图像掩模    词目：图像掩模。 数字图像处理中,图像掩模主要用于：①提取感兴趣区,用预先制作的感兴趣区掩模与待处理图像相乘,得到感兴趣区图像,感兴趣区内图像值保持不变,而区外图像值都为0。
• 射线掩模    射线掩模
• 接触式掩模    非接触式掩模 接触式掩模
• 掩模    掩模就象一个低频空间滤波器，其效果是增强细节的重现。 光刻技术应用到集成电路制造中，就是将掩模版的几何图形转移到硅片表面的工艺过程。 圆形石英玻璃光掩模基板规范 无掩模光刻技术的前景 掩模对准曝光机测试方法 光掩模对准标记规范 对准,调整掩模和晶片之间的位置。 硬面光掩模用铬薄膜 光掩模缺陷分类和尺寸定义的准则 连续型平面衍射聚光透镜掩模的制作 铬掩模的使用寿命比乳效掩模的...
• 掩模制造    建立准确描述由于掩模制造工艺、光刻胶曝光、显影、蚀刻所引起的光学邻近效应和畸变所导致的关键尺寸变化的光刻工艺模型，有助于开发由成品率驱动的版图设计工具，自动地实现深亚微米下半导体制造中先进的掩模设计、验证和检查等任务。
• 掩模制作技术    光掩模制作技术大体上可分为传统的刻图缩微制版技术系统、计算机辅助设计、光学图形发生器自动制版技术系统和以电子束扫描成像为代表的各种短波长射线成像曝光技术系统。 ②计算机辅助设计光学图形发生器制版技术系统随着半导体器件、集成电路、大规模集成电路制作技术的发展，芯片集成度越来越高,电路图形越来越复杂,加工尺寸越来越精细，遂研制成功计算机辅助制版系统和由它控制的自动制图机、光学图...
• 掩模匹配    常用算法有梯度法、算子、高通滤波、掩模匹配法、统计差值法等。
• 掩模框    小的掩模变形，导致大的曝光尺寸误差，为此采取了对膜进行掺杂，对膜增加保护层，设计了冷却系统，并通过有限元分析改进了掩模框架的设置，避免气流对掩模造成振动。 然而这种掩模也面临着应力和入射离子造成的发热等问题，为此采取了一系列措施，如：对掩模进行掺杂；对膜增加保护层；设计掩模冷却系统及通过有限元分析改进了掩模框架的设置，避免气流对掩模造成振动等。
• 掩模光刻    无掩模光刻技术的前景
• 掩模原版    用光掩模原版校准检验激光绕射粒子定尺寸仪器的试验方法
• 掩模原图    首先需要根据半导体器件或集成电路电学参数的要求、工艺条件和精度的要求确定适当的放大倍率来绘制掩模原图。 首先根据设计原始总图（视制版精度要求，通常总图要比实际芯片尺寸约大100～1000倍）,利用刻图机按照光刻不同层次将所需的图形分别刻在若干张可剥离的聚酯红膜片上,并揭去不需要的部分,即制成一套掩模原图。
• 掩模设计    基于此方法的软件工具能够检查标准单元版图，找出不符合交替移相掩模设计要求的图形，并给出相关的修改建议。 建立准确描述由于掩模制造工艺、光刻胶曝光、显影、蚀刻所引起的光学邻近效应和畸变所导致的关键尺寸变化的光刻工艺模型，有助于开发由成品率驱动的版图设计工具，自动地实现深亚微米下半导体制造中先进的掩模设计、验证和检查等任务。
• 掩模组    PLD不需要客户支付高昂的NRE成本和购买昂贵的掩模组-PLD供应商在设计其可编程器件时已经支付了这些成本，并且可通过PLD产品线延续多年的生命期来分摊这些成本。 NRE表示在固定逻辑器件最终从芯片制造厂制造出来以前客户需要投入的所有成本，这些成本包括工程资源、昂贵的软件设计工具、用来制造芯片不同金属层的昂贵光刻掩模组，以及初始原型器件的生产成本。
• 掩模法    本论文围绕着掺yb3 +双包层光纤激光器进行研究工作,报告了得到的科研成果,包括以下的内容: 1 .在截止波长高于1060nm的少量模光纤中用相位掩模法写入布拉格光纤光栅,制作的布拉格光栅具有几个透射峰。
• 掩模只读存储器    这样制备成的称为掩模只读存储器。 只读存储器所存储的数据功能，是以在制造过程中所用掩模决定的，所以也称掩模只读存储器。