势垒造句
词典里收录的相关例句：
- pn结势垒 pn结势垒的厚度也与掺杂浓度和温度有关。 通过求解耗尽层近似下的Poisson方程，即可得到pn结势垒的高度和厚度。 pn结势垒有一定的高度和一定的厚度，这完全由其中的空间电荷密度及其分布来决定。 pn结势垒高度和厚度的这种变化，就使得pn结具有单向导电性和势垒电容、扩散电容等性能。 同时，pn结势垒高度和厚度的这种变化关系也就是决定半导体器件工作性能随着掺杂浓度和温度发生...
- 光势垒 Wenglor sensoric elektronische geraete gmbh是一家现代化的、可靠的专门产品供应商，这家供应商从事条形码读取仪器,印刷商标读取器,单向光栅,色彩感应器,光泽敏感元件、光泽传感器,塑料光导电缆,光栅,光传导线缆,光势垒、光电装置对、光电栅栏,事故维护光栅,来复式卡钎、圆规,镜面反射箱,传感技术,编织、针织机，网络生产机械的制造、销售。
- 势垒 这个几率与势垒区内的量子波振幅有关。 金属中的电子必须克服这个势垒层才能进入半导体。 透射因子描述了当能量趋近于裂变势垒时裂变逐渐地开放。 势垒的穿透系数 扩散电容势垒电流炉 二氧化钛压敏电阻势垒高度的测定 势垒层表面态及其他局域态性质研究 钛酸钡陶瓷离子缺位对晶界势垒的影响 双势垒系统伏安特性的数值模拟 的肖特基势垒光电探测器的模拟 重离子熔合势垒的动力学模型研究 肖克利...
- 势垒电容 势垒电容的示意图见图01.09。 势垒电容和扩散电容均是非线性电容。 势垒电容在正偏和反偏时均不能忽略。 总之，pn结的扩散电容与其势垒电容不同。 而势垒电容在正偏和反偏时均不能忽略。 PN结电容分为两部分，势垒电容和扩散电容。 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。 ：耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。 PN结反向偏置时电阻大，电容小，主要为势垒电容。 结电容...
- 势垒场 单壁碳纳米管化学气相沉积肖特基势垒场效应晶体管
- 势垒层 金属中的电子必须克服这个势垒层才能进入半导体。 势垒层表面态及其他局域态性质研究 异质结构中极化与势垒层掺杂对二维电子气的影响 采用迭代法求解schrodinger - poisson方程,当algan势垒层掺杂浓度为1 1018cm - 3时,二维电子气浓度最高可达1 1012cm - 2 ,并且二维电子气薄层厚度随着势垒层厚度的增加从15nm增加到40nm 。 根据s ...
- 势垒效应 光生伏打效应又可分为势垒效应（结光电效应）和侧向光电效应。 基于势垒效应的有光电二极管和光电三极管(见半导体光敏元件)。 势垒效应的机理是在金属和半导体的接触区(或在PN结)中，电子受光子的激发脱离势垒（或禁带）的束缚而产生电子空穴对，在阻挡层内电场的作用下电子移向N区外侧，空穴移向P区外侧，形成光生电动势。
- 势垒穿透 此法对计算束缚态能量和势垒穿透率都是非常有用的。 利用势垒穿透来解释α衰变是用量子力学研究原子核的最早成就之一。 WKB近似描述了最简单的包括势垒穿透几率与势垒高度和厚度的乘积指数相关的隧穿图像。 而能量低于势垒的仍有一定概率实现反应，即可能有一部分粒子(代表点)穿越势垒(也称势垒穿透barrier penetration)，好像从大山隧道通过一般。
- 势垒穿透率 此法对计算束缚态能量和势垒穿透率都是非常有用的。
- 势垒的穿透 势垒的穿透系数
- 势垒二极管 肖特基势垒二极管是利用金属半导体的整流接触特性而制成的二极管。 3 .制成了al / c _ ( 60 ) / cu结构的肖特基势垒二极管并对其电学特性做了研究。 文摘:本文提出了用肖特基低势垒二极管检波器检测功率的六端口测量系统整体校准的新方法。 本文讨论了n型6h - sic欧姆接触的制备工艺及其基本电学及热学特性，并在此基础上采用金属au及ni在n型6h - sic硅...
- 势垒隧穿 在占势作用时，虽然也有势垒隧穿ll . j影响，但是由于作用势存在的范围很小，量子系统的能级受到的影响t匕非零距离作用势时小得多，所以不会出现goe的统计分布。
- 势垒宽度 该概率随着势垒宽度的增加而指数衰减。 的控制,求解其中的Poisson方程即可得到势垒宽度。 （n=1）上，降低了势垒宽度，使反应速率加快。 界面处一层污染层会非常有效的增加势垒宽度。 在图1中示出了三种典型的势垒；有效势垒宽度为x1～x2。 外电场有两个作用：一是降低表面势垒，二是减少势垒宽度。 的平方根成正比，故因子Q受势垒宽度的影响比它受粒子质量的影响更大一些。 超突...
- 势垒结 提出(11N)取向衬底上生长超晶格的有效质量理论，提出计算超晶格电子态的有限平面波展开方法，用赝势理论研究了长周期超晶格,提出半导体双势垒结构的空穴隧穿理论。 对于具有对称双势垒结构，发生谐振时的电子最大隧穿几宰等于1，即对称双势垒对某些能量的入射电于是完全透明的、发生谐振睡穿的物理机制来自于两个势垒之间的势阱内电子能量的量子化。 的成果，如提出量子球空穴态的张量模型、介观...
- 势垒高度 二氧化钛压敏电阻势垒高度的测定 施主掺杂钛酸钡陶瓷最大势垒高度计算 2压敏陶瓷势垒高度的测定 29ev以上，即相当于测得schottky势垒高度为0 所以有效势倾斜斜率和其势垒高度对几率流都有共同影响。 ( 3 )几率流不仅与有效势的整体倾斜的斜率有关，同时还与有效势的势垒高度有关。 添加微量稀土氧化物通过增大势垒高度和氧化锌晶粒电阻率来减小泄漏电流。 结果表明：双层器件的...
- 势垒注入 BARITT二极管由于其势垒注入的相位延迟要小于雪崩注入的，所以这种二极管的输出功率和转换效率都低于IMPATT二极管(在10GHz时约低2个数量级)；但是BARITT二极管中无雪崩倍增作用，则噪音低(要比IMPATT二极管的低两个数量级)，可用作为本振信号源。 器件工作的常态为截止状态(无沟道)，当源-漏电压Vds足够大(如-30V)时,漏结将发生雪崩倍增效应而产生出大量...
- 势垒能 通过超过势垒能量的蓄积，达到预定成果的难度水平，即可以完成思维创新过程。
- 势垒能量 通过超过势垒能量的蓄积，达到预定成果的难度水平，即可以完成思维创新过程。
- 完全发展的势垒 完全发展的势垒
- 库仑势垒 计算表明,α粒子和子核之间的库仑势垒一般高达20兆电子伏以上。 ，由于库仑势垒的阻挡,α粒子不能跑到核外,根本不可能发生α衰变。 为使带电粒子克服库仑势垒进入靶核，就必须用加速器等设备加速带电粒子。 因此，当入射能量接近或稍高于库仑势垒时，出射粒子的角分布在擦边角附近呈峰。 下，克服库仑势垒才能发生氘核聚变，像常温常电压下的电解过程是不可能发生核反应的。 为此，轻核需要能量...
- 成核势垒 纳米碳管的引入，使得体系在纳米碳管和pt之间的界面产生非均态核化，随pt薄膜成核势垒的降低，掺纳米碳管的pt薄膜在较低温度下即可形成钙钛矿相，在500的较低温度，就可获得结晶完整且己具有很大结晶量的薄膜。
- 扩散势垒 晶体管栅极电介质层（高k材料），光电元件的涂层，晶体管中的扩散势垒层和互联势垒层（阻止掺杂剂的迁移），有机发光显示器的反湿涂层和薄膜电致发光(TFEL)元件，集成电路中的互连种子层，DRAM和MRAM中的电介质层，集成电路中嵌入电容器的电介质层，电磁记录头的涂层，集成电路中金属-绝缘层-金属（MIM）电容器涂层。
- 接触势垒 肖特基二极管是利用金属与半导体之间接触势垒进行工作的一种多数载流子器件，与普通的pn结二极管相比，它具有正向导通电压低，响应速度快等优良特性。
- 核势垒 纳米碳管的引入，使得体系在纳米碳管和pt之间的界面产生非均态核化，随pt薄膜成核势垒的降低，掺纳米碳管的pt薄膜在较低温度下即可形成钙钛矿相，在500的较低温度，就可获得结晶完整且己具有很大结晶量的薄膜。
- 结势垒 根据太阳电池的工作原理，详细地论述了用脉冲光源照射n / p结太阳电池时光电压的产生，理论上给出了注入p区的电子复合带来的开路电压与少子寿命的关系，也研究了n / p结势垒电容放电对开路电压衰减的影响关系，推导了利用开路电压随时间衰减的关系来测量少数载流子寿命的理论公式。