半导体闸流管造句

• 半导体闸流管    半导体闸流管电泳保护设备应用指南 半导体闸流管电泳保护设备的应用指南 规定半导体闸流管受控串联电容器的推荐规范 规范半导体闸流管受控串行电容器的推荐实施规范 高压直流半导体闸流管阀试验程序推荐规程 低压电涌保护装置.半导体闸流管电涌抑制器 也可以用可控硅整流器或者是半导体闸流管。
• 半导体变流技术    本文通过应用计算机控制技术、半导体变流技术、交流调速技术和计算机仿真技术,设计了一个基于16位单片机的三相交-交变频电源装置。
• 充氢闸流管    金属陶瓷结构放电管封钎排充气一步成管工艺和ZQM10／1000陶瓷充氢闸流管两项获发明奖。
• 光闸流管    如光闸流管;(2)换力型。 其特点和用途有所差异，但是由于PhotoMOS在输出元件中采用了功率型MOSFET，因此与光闸流管和光电晶体管方式相比，这款转换设备适于对微小的模拟信号进行控制。
• 半导体放电管    多元胞结构的半导体放电管浪涌能力研究 半导体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端。 半导体放电管（TVSARRAY）：主要用通信线路或设备中的过压和防雷保护。 陶瓷放电管、金属气体放电管、半导体放电管、玻封放电管等已赢得市场的广泛关注。 目前，按器件及产品结构主要为：气体放电管加PTC、半导体放电管加PTC等2种类型保安单元。 选用半导体放电管应注意以下几点：1、反向击穿...
• 半导体光电二极管    光电导型探测器由单一半导体制成，或制成二极管，称为半导体光电二极管。 “金属化高线性半导体光电二极管组件关键技术及产业化研究”，企业委托项目，进行中。 碰撞电离效应也可以引起光生载流子的雪崩倍增，从而使半导体光电二极管具有内部的光电流增益。 与一般的半导体光电二极管一样，雪崩光电二极管的光谱灵敏范围主要取决于半导体材料的禁带宽度。 因此，从工作状态来说，雪崩光电二极管实际上...
• 半导体光电管    国内首台ICP高频等离子光谱仪的开发；短脉冲供电空心阴级灯原子吸收光谱仪；介电常数液色谱检定器；荧光转换半导体光电管液色谱检定器；高灵敏度火焰发射分光光度计；自动微量水份测定仪式；火焰光谱痕量钠检测仪。
• 半导体整流管    ，半导体整流管就是利用PN结的这一特性制成的。
• 半导体晶体管    摘要近几年来，作为新一代半导体晶体管的有机场效应晶体管( ofet )在制备技术和器件性能上都取得了很大的进步，并引起了有机半导体领域研究人员的广泛关注。
• 半导体二级管    半导体二级管激光器和固体激光器技术和发展十分迅速，其中最为突出的进展是固态化。
• 半导体管    半导体管特性图示仪测试方法 半导体管特性图示仪通用技术条件 电气简图用图形符号第5部分：半导体管和电子管 程控交换机总配线架用的气体放电管和半导体管满足yd t694 - 2004总配线架进网质量认证要求，和ga173 - 2002计算机信息系统防雷保安器技术要求。 我们发现，无论是锯齿型窄隙半导体管还是锯齿型宽隙半导体管，同一类管的最低导带的电子有效质量随波矢变化的规律基...
• 半导体发光数码管    半导体发光数码管空白详细规范 图：3-33为半导体发光数码管的示意图。 LCD的计算机器，手机，便携式计算机，半导体发光数码管显示（LED）的汽车计价器，商场的大屏幕广告，证券所的股票交易显示牌，荧光显示器件（VFD）显示的电子秤，家电，VCD，最新上市的平板等离子（PDP）显示的大彩电，以及CRT显示的彩电。
• 双向三极闸流晶体管    半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第二篇100a以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范
• 可控闸流管    因此可控闸流管除具有整流特性外，还具有开关特性。 加反向（阳极接负）偏压时,可控闸流管特性和PN结二极管的反向特性相似。 当加正向（阳极接正）偏压时，在一定电压范围内，可控闸流管处于阻抗很高的关闭状态（正向阻断）。 螺旋型可控闸流管电流小于100安;平板型可控闸流管一般在200安以上，工作电压从几十伏到几千伏,多用于整流相位控制、低频开关、逆变、变频、斩波、调速以及脉冲调制...
• 成门极换流晶闸管    集成门极换流晶闸管 相模块：每相模块由集成门极换流晶闸管IGCT、二极管和钳位电容组成。 ）、MOS控制晶闸管（MCT）、静电感应晶体管（SIT）、静电感应晶闸管（场控晶闸管，SITH）和集成门极换流晶闸管（IGCT）等。 集成门极换流晶闸管IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor）有的厂家也称为GCT（Gate-Commutate...
• 晶体闸流管    半导体器件.分立器件.第6部分:晶体闸流管.第2节:双向三极晶体闸流 半导体器件.分立器件.第6部分:晶体闸流管.第3节:电流在100a以下的额定环境和外壳的反向阻挡三极闸流晶体管的空白详细规范
• 晶闸管换流阀    70年代晶闸管换流阀已经代替汞弧阀。 《晶闸管换流阀》内容为：特高压直流输电是实施我国“西电东送”战略的重要措施。 《手册》包括《换流变压器和平波电抗器》、《晶闸管换流阀》、《直流控制保护系统》三个分册。 换流变压器单台容量最大321兆伏安，采用6英寸晶闸管换流阀，每组换流器容量达175万千瓦；运行方式灵活，可靠性高。 《晶闸管换流阀》为《晶闸管换流阀》，描述了特高压换流阀...
• 氢闸流管    氢闸流管测试方法 氢闸流管空白详细规范 在大功率恒流充电技术上,成功的应用了交流调压式恒流技术,可以在8s内让电容器储存25kj的能量;设计出了长寿命、高稳定的轨道开关;采用氢闸流管做开关,使用双触发电路,研制出了低抖动、快前沿的高压脉冲发生器(点火机) ;采用单片机和pld ,研制出了精度为10ns的延时同步机。
• 氢闸流管测试方法    氢闸流管测试方法
• 硅闸流管    硅整流器与硅闸流管的问世促使硅材料的生产一跃而居半导体材料的首位。
• 脉冲闸流管    脉冲闸流管总规范
• 脉冲闸流管总规范    脉冲闸流管总规范
• 金属氧化物半导体场效应晶体管    哦， cmos （互补金属氧化物半导体）芯片使用金属氧化物半导体场效应晶体管（ mosfet ） ，显然它是一种fei （场效应晶体管） 。 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
• 金属半导体场效应晶体管    以液封直拉半绝缘gaas为衬底的金属半导体场效应晶体管( mesfet )器件是超大规模集成电路和单片微波集成电路广泛采用的器件结构，因此研究lec法生长si - gaas ( lecsi - gaas )衬底材料特性对mesfet器件性能的影响，对gaas集成电路和相关器件的设计及制造是非常必要的。
• 金属半导体场效应管    高功率电磁脉冲对砷化镓金属半导体场效应管的影响