单极场效应晶体管造句

• 单极场效应晶体管    单极场效应晶体管
• 场效应晶体管的漏极    Kink效应是指场效应晶体管的漏极电流与漏极电压的非饱和特性。
• 以下的单栅场效应晶体管    半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第一篇1ghz 5w以下的单栅场效应晶体管空白详细规范
• 单栅极场效应晶体管    半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管.第1节: 1ghz 5w以下的单栅极场效应晶体管的空白详细规范
• 晶体管，晶体三极管    TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor即双极结型晶体管，晶体三极管）和电阻构成，具有速度快的特点。
• 功率场效应晶体管    功率场效应晶体管元件符号如图1所示。 半导体分立器件. cs0536型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范 半导体分立器件. cs0524型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范 半导体分立器件. cs0532型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范 半导体分立器件. cs0513型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范 半导体分立器件. cs0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范...
• 双栅场效应晶体管    半导体分立器件. cs0558型砷化镓微波双栅场效应晶体管详细规范
• 场效应晶体管    为适应高阻抗需要，仪器输入电路中须用特殊设计的静电计专用电子管、场效应晶体管。 Mos场效应晶体管热敏参数快速筛选试验方法 管壳额定开关用场效应晶体管空白详细规范 半导体分立器件. cso467型砷化镓微波场效应晶体管详细规范 半导体分立器件. cs0464型砷化镓微波场效应晶体管详细规范 本文主要研究sic场效应晶体管的特性和制作工艺。 半导体分立器件. cs0524型砷...
• 场效应晶体管放大器    低温场效应晶体管放大器、低温混频器等低温电子装置，已广泛应用于低噪声接收和精密测量技术中。 全书包含8个项目，分别是：二极管基本特性的测试、晶体管放大器的测试与设计、场效应晶体管放大器的测试与设计、高保真放大器的测试与设计、立体声调音控制器的测试与设计、音频功率放大器的测试与设计、直流稳压电源的测试与设计、音频功率放大器的整机装配与联调。
• 场效应晶体管沟道    1．获北京市、电子工业部科技进步奖7项，其中有“功率晶体管峰值结温非破坏性测量技术”“砷化镓场效应晶体管沟道温度精确测量技术”“税务数据自动化采集和计算机读卡接收系统”等。
• 增强型场效应晶体管    半导体分立器件. cs139型硅p沟道mos增强型场效应晶体管详细规范 半导体分立器件. cs6760和cs6762型硅n沟道增强型场效应晶体管详细规范 半导体分立器件. cs6768和cs6770型硅n沟道增强型场效应晶体管详细规范
• 微波场效应晶体管    半导体分立器件. cso467型砷化镓微波场效应晶体管详细规范 半导体分立器件. cs0464型砷化镓微波场效应晶体管详细规范 微波二极管和晶体管.微波场效应晶体管.空白详细规范
• 栅场效应晶体管    半导体分立器件. cs0558型砷化镓微波双栅场效应晶体管详细规范 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第一篇1ghz 5w以下的单栅场效应晶体管空白详细规范 电子元器件质量评估协调体系.空白详细规范.半导体器件.分立器件.场效应晶体管.功率达5w和1ghz的单栅场效应晶体管空白详细规范
• 沟道结型场效应晶体管    半导体分立器件. cs3684 cs3687型硅n沟道结型场效应晶体管详细规范 半导体分立器件. cs3458 cs3460型硅n沟道结型场效应晶体管详细规范
• 砷化镓场效应晶体管    目前在s波段人们常用的放大器有双极性晶体管( bjt ) 、砷化镓场效应晶体管( gaasmosfet ) 、边缘扩散场效应晶体管（ ldmosfet ）等，由于ldmosfet具有频带宽、供电方便、稳定可靠等优势，目前已经广泛用于移动通信3g的研究。
• 硅场效应晶体管    最近已有人试验把非晶硅场效应晶体管用于液晶显示和集成电路。
• 离子敏感场效应晶体管    用lb膜技术将脲酶两亲性分子混合langmuir膜转移到离子敏感场效应晶体管( isfet )表面，制成了脲酶场效应晶体管生物传感器；采用离子敏感场效应管特性测定仪对它的性能进行了分析。
• 纳米场效应晶体管    则对于纳米场效应晶体管的性能分析，需要采用载流子波??量子波的概念来处理。 纳米场效应晶体管的特点就是不仅需要考虑载流子在垂直沟道方向的横向量子化，而且也需要考虑沿着沟道方向的纵向量子化，即是一个量子化的三维问题。 碳纳米管的直径仅数纳米至数十纳米，耐电流密度可达铜的100多倍，可以作为超级耐高电流密度的布线材料，半导体型的碳纳米管还可以用来构筑纳米场效应晶体管、单电子晶体...
• 结型场效应晶体管    半导体分立器件. cs3684 cs3687型硅n沟道结型场效应晶体管详细规范 半导体分立器件. cs3458 cs3460型硅n沟道结型场效应晶体管详细规范
• 绝缘栅场效应晶体管    1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。 这是一种利用超导沟道导电的绝缘栅场效应晶体管。 利用这种场效应制成的绝缘栅场效应晶体管(IGFET)可作为化学传感器。 《晶体管原理与设计》(第2版)全面系统地介绍半导体器件基本方程、PN结二极管、双极结晶体管和绝缘栅场效应晶体管的基本原理和工作特性，包括直流、功率、频率、开关、噪声等特性，以及器件的SPICE模型。
• 耗尽型场效应晶体管    半导体分立器件. cs146型硅n沟道耗尽型场效应晶体管.详细规范 半导体分立器件. cs141型硅n沟道mos耗尽型场效应晶体管详细规范 半导体分立器件. cs140型硅n沟道mos耗尽型场效应晶体管.详细规范 半导体分立器件. cs5114 cs5116型硅p沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 半导体分立器件. cs4091 cs4093型硅n沟道耗尽型场效应晶体管详细规范...
• 薄膜场效应晶体管    提出双栅绝缘层结构全有机薄膜场效应晶体管,达到了减少器件栅的漏电流、降低器件工作电压和提高器件工作电流的目的。 以多种工艺在硅基衬底和玻璃衬底上制备了不同结构的有机薄膜场效应晶体管( otft ) ,论述了不同制备工艺的优缺点,以及器件结构对性能的影响。
• 超导场效应晶体管    利用这种效应可以制作超导场效应晶体管等电子器件。 从而对于较短的器件沟道，也可变为超导态，所以这种超导场效应晶体管的电流大、驱动力强、速度快、响应快。
• 量子线场效应晶体管    利用碳纳米管来制作沟道的所谓碳纳米管场效应晶体管（CNT-FET），就是一种典型的量子线场效应晶体管。
• 金属氧化物半导体场效应晶体管    哦， cmos （互补金属氧化物半导体）芯片使用金属氧化物半导体场效应晶体管（ mosfet ） ，显然它是一种fei （场效应晶体管） 。 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法