正负电子对湮没造句

• 正负电子对湮没    正负电子对湮没为两个光子最低阶由图2b组成。 其中2.23兆电子伏射线由中子俘获过程产生，4.4和6.1兆电子伏射线由C和O的核退激产生，0.5兆电子伏则是正负电子对湮没所致。 其中2.23兆电子伏γ射线由中子俘获过程产生?4.4和6.1兆电子伏γ射线由C和O的核退激产生?0.5兆电子伏则是正负电子对湮没所致。 可以断定在太阳出现耀斑条件下比较可能的辐射过程有：①正负电子对...
• 正负电子湮没    它们的电荷，可以由正负电子湮没为强子的总截面加以验证。 2004年，“2-5GeV能区正负电子湮没产生强子反应截面的精确测量”获国家自然科学二等奖。 1秒后100亿度，中微子向外逃逸，正负电子湮没反应出现，核力尚不足束缚中子和质子。 大爆炸后1秒后100亿度，中微子向外逃逸，正负电子湮没反应出现，核力尚不足束缚中子和质子。 根据量子电动力学理论及场论的分析可知，正负电子湮没...
• 电子对湮没    、电子对产生和电子对湮没等。 第四种是电子对湮没中微子过程。 正负电子对湮没为两个光子最低阶由图2b组成。 理论计算表明?当星体温度高达十亿，电子对湮没产生中微子是星体能量的损耗的主要过程。 其中2.23兆电子伏射线由中子俘获过程产生，4.4和6.1兆电子伏射线由C和O的核退激产生，0.5兆电子伏则是正负电子对湮没所致。 其中2.23兆电子伏γ射线由中子俘获过程产生?4.4...
• 正负电子对    在北京正负电子对撞机真空控制系统中的应用 北京正负电子对撞机中的束束作用偏转效应 正负电子对撞机 正负电子对产生 我们的正负电子对撞机工程在全世界也是居于前列的。 子计数器的分辨率是北京正负电子对撞机的重要性能指标，其z向分辨率是决定探测器的性能好坏的标准。 北京正负电子对撞机( bepc )和北京谱仪( bes )正在升级改造中,漂移室( dc )是北京谱仪上最重要的子探...
• 正负电子对的产生    1930年最先观察到γ射线通过重物质时的反常吸收和特殊辐射，这是正负电子对的产生和湮灭过程的最早实验证据。 成功地描述了原子内光的辐射和吸收、喇曼效应、康普顿效应、光电效应以及正负电子对的产生，但是，这种场论存在“发散”困难，即在许多计算中都会得到无穷大这一荒谬的结果。 20世纪20年代建立的处理电子与电磁辐射相互作用的量子场论成功地描述了原子内光的辐射和吸收、喇曼效应、康...
• 正负电子对产生    正负电子对产生 教授和杰茨凯商量是否可在汉堡进行正负电子对产生的实验。 我与搞西德电子同步加速器的韦伯教授和杰茨凯商量是否可在汉堡进行正负电子对产生的实验。
• 电子正电子对    西欧中心(CERN)当时正在设计能量为100GeV的电子正电子对撞机LEP，它无疑是最理想的。 “在我到达哥伦比亚大学的第二年，在坎伯利基电子加速器上进行一项由光子同核靶碰撞产生电子正电子对的实验。 每个夸克所带重子数为1/3，并带一种色，每个夸克共有3色，类似电荷间相互作用，夸克间的相互作用依赖于夸克的色，通过交换胶子（由三代电子正电子对撞机研究发现）夸克可以同带有其他任...
• 对湮没    、电子对产生和电子对湮没等。 第四种是电子对湮没中微子过程。 正负电子对湮没为两个光子最低阶由图2b组成。 对湮没近千年有突出创作成就的女作家，作者钩沉发微，重点介绍。 缺点是获取的数据粗糙，对湮没电子动量的分辨不如角关联实验好，典型情况下差四倍。 理论计算表明?当星体温度高达十亿，电子对湮没产生中微子是星体能量的损耗的主要过程。 其中2.23兆电子伏射线由中子俘获过程产生...
• 正电子湮没    用正电子湮没和超声衰减方法研究金属疲劳 聚氯乙烯共混改性的正电子湮没研究 正电子湮没寿命 氟化钡晶体质子辐照的正电子湮没寿命谱研究 采用正电子湮没技术研究了端羟基液体丁腈 用位错胞及正电子湮没寿命为参量的损伤演变律 同时也说明慢正电子湮没技术在研究sic上的sio _ 2中缺陷的变化是可行的实验方法。 本文对直拉硅样品进行了不同剂量的快中子辐照，在硅中引入大量的亚稳态缺陷，...
• 正电子湮没技术    正电子湮没技术应用已有二十多年的历史。 采用正电子湮没技术研究了端羟基液体丁腈 正电子湮没技术可用来研究物质微观结构及其变化。 现在，正电子湮没技术已成为一种研究物质微观结构的新手段。 同时也说明慢正电子湮没技术在研究sic上的sio _ 2中缺陷的变化是可行的实验方法。 电子顺磁共振、穆斯堡尔效应、正电子湮没技术等已成为研究杂质和缺陷的有力手段。 、正电子湮没技术、磁共振...
• 正电子湮没寿命    氟化钡晶体质子辐照的正电子湮没寿命谱研究 用位错胞及正电子湮没寿命为参量的损伤演变律 采用解理实验、 x射线衍射、电学性能测试、红外透过谱测试、可见光吸收谱测试、 sem蚀坑分析、探测器的试制等分析测试方法，并首次采用正电子湮没寿命谱分析方法来研究czt单晶体的空位缺陷，综合表征了所生长的晶体的质量和性能。 本工作采用重离子辐照模拟和正电子湮没寿命测量技术研究了加速器驱动洁...
• 北京正负电子对撞机    1988年：北京正负电子对撞机研制成功。 1983年11月国家批准北京正负电子对撞机工程。 :北京正负电子对撞机国家实验室主任。 北京正负电子对撞机（BEPC）正式结束运行。 北京正负电子对撞机中的束束作用偏转效应 这项合作促进了北京正负电子对撞机的建设。 在北京正负电子对撞机真空控制系统中的应用 1990年7月21日，北京正负电子对撞机通过国家验收。 他高度评价北京正负电...
• 正负电子    在北京正负电子对撞机真空控制系统中的应用 北京正负电子对撞机中的束束作用偏转效应 正负电子对撞机 正负电子对产生 这些粒子必然包括质子和正负电子。 我们的正负电子对撞机工程在全世界也是居于前列的。 子计数器的分辨率是北京正负电子对撞机的重要性能指标，其z向分辨率是决定探测器的性能好坏的标准。 北京正负电子对撞机( bepc )和北京谱仪( bes )正在升级改造中,漂移室(...
• 正负电子湮灭    中观测到正电子径迹的安德逊，而不是1930年首先发现了正负电子湮灭的赵忠尧。 把诺贝尔物理学奖授予了1932年在云雾室中观测到正电子径迹的安德逊，而不是1930年首先发现了正负电子湮灭的赵忠尧。 1977年考入中国科技大学近代物理系:1982年2月提前一学期毕业，获学士学位;1984年12月，获硕士学位；论文工作：建立了一个线极化测量装置，对正负电子湮灭中的光子极化关联进行...
• 正负电子对撞机    在北京正负电子对撞机真空控制系统中的应用 北京正负电子对撞机中的束束作用偏转效应 我们的正负电子对撞机工程在全世界也是居于前列的。 子计数器的分辨率是北京正负电子对撞机的重要性能指标，其z向分辨率是决定探测器的性能好坏的标准。 北京正负电子对撞机( bepc )和北京谱仪( bes )正在升级改造中,漂移室( dc )是北京谱仪上最重要的子探测器之一。 北京谱仪( beij...
• 不成对电子    自由基是具有不成对电子的原子或分子。 定义：研究物质中不成对电子的波谱学方法。 效应：假定两个具有不成对电子的原子相互靠近。 自由基是含有不成对电子并且能独立存在的化学物质。 因自由基有不成对电子自旋，所以称自旋标记（H．M．McConnell）。 定义：(1)泛指：含有不成对电子的原子、分子或基团参加的反应。 产生磁场，分子中有不成对电子时，各单电子平行自旋，磁场加强。 ...
• 价层电子对互斥    杂化模型与价层电子对互斥模型的关系。 价层电子对互斥理论常用AXE方法计算分子构型。 球面点电荷模型是学习价层电子对互斥理论的基础。 价层电子对互斥模型对简单分子（包括离子）几何构型的预测。 价层电子对互斥理论可相当成功地简便地判断许多共价型分子的几何构型。 价层电子对互斥理论(英文VSEPR)，是一个用来预测单个共价分子形态的化学模型。 价层电子对互斥理论、价键理论和分子...
• 价层电子对互斥理论    价层电子对互斥理论常用AXE方法计算分子构型。 球面点电荷模型是学习价层电子对互斥理论的基础。 价层电子对互斥理论可相当成功地简便地判断许多共价型分子的几何构型。 价层电子对互斥理论(英文VSEPR)，是一个用来预测单个共价分子形态的化学模型。 价层电子对互斥理论、价键理论和分子轨道理论都是关于分子如何构成的理论。 1940年美国的Sidgwick NV等人相继提出了价层电...
• 价层电子对互斥模型    杂化模型与价层电子对互斥模型的关系。 价层电子对互斥模型对简单分子（包括离子）几何构型的预测。 这种理论模型后经吉列斯比（R.J,Gillespie）和尼霍尔姆（Nyholm）在20世纪50年代加以发展，定名为价层电子对互斥模型，简称VSEPR（Valence Shell Electron Pair Repulsion）。
• 共用电子对    共用电子对数，共价一个原子与其他原子共用的电子的对数 结果得出： ( 1 )根据固体与分子经验电子理论，利用偏聚结构单元的最强共价键上的共用电子对数n _ a ，可以选择工模具钢基体相的强化元素； ( 2 )根据合金系相平衡热力学计算及已有的相图，可以碳化物类型、数量及其相变确定合金元素含量； ( 3 )新型dm9钢在强韧性(抗弯强度、屈服强度、无缺口冲击值)和硬度方面均高...
• 孤电子对    作为配体的分子或离子应该有具有作给予用的孤电子对。
• 孤对电子    这种表面猝灭中心对自激活蓝光和橙光发射都有猝灭作用，它们极有可能来自表面s ~ ( 2 - )孤对电子的悬空键或zn ~ ( 2 + )空位。
• 弧对电子    阿魏酸的自由基清除能力与其分子结构密切相关，自由基与阿魏酸相撞后，很容易从其上面夺取一个氢原子而形成苯氧自由基，由于未配对电子不仅可以存在于氧原子上，还可以存在于整个分子的任何部位，同时借助-OCH3可以形成p型弧对电子，因而阿魏酸形成的苯氧自由基相对稳定，而且当两个苯氧自由基相撞时，可以结合形成姜黄素，从而减慢和终止自由基链式反应的进程。
• 惰性电子对    惰性电子对效应突出的体现在第六周期p区元素中。 解释与其内容：对惰性电子对效应的解释很多,据认为均不甚完善。 4f电子屏蔽作用较弱，6s电子的钻穿效应增强，表现“惰性电子对效应”，6s电子较难电离。 位于化学元素周期表第4.5.6周期的p区元素Ga,In,Tl;Ge,Sn,Pb;As,Sb,Bi等，有保留低价态，不易形成最高价的倾向，这叫惰性电子对效应。
• 惰性电子对效应    惰性电子对效应突出的体现在第六周期p区元素中。 解释与其内容：对惰性电子对效应的解释很多,据认为均不甚完善。 4f电子屏蔽作用较弱，6s电子的钻穿效应增强，表现“惰性电子对效应”，6s电子较难电离。 位于化学元素周期表第4.5.6周期的p区元素Ga,In,Tl;Ge,Sn,Pb;As,Sb,Bi等，有保留低价态，不易形成最高价的倾向，这叫惰性电子对效应。