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等离子体增强化学气相淀积造句

词典里收录的相关例句:
  • 等离子体增强化学气相淀积    4 .分别对300 c下采用等离子体增强化学气相淀积( pecvd )和700 ~ 800 c下采用热氧化技术制备sigehmos器件栅介质薄膜进行了研究。
  • 等离子体化学气相沉积    本研究中,用自行研制的微波等离子体化学气相沉积( mpcvd )装置对在硬质合金基体上金刚石的涂层进行了研究。 近年来微波等离子体化学气相沉积技术越来越受到人们的关注,它是一种新型的生产技术。 详细介绍了自行研制的2450mhz 5kw带有石英玻璃窗、水冷却不锈钢腔体微波等离子体化学气相沉积( mpcvd )装置。 本文详细介绍了自行研制的2450mhz 5kw带有石英玻璃...
  • 低压化学气相淀积    低压化学气相淀积设备通用技术条件
  • 化学气相淀积    这个高的数值可以和从化学气相淀积外延得到的数值相比拟。 尘粒也能由工艺设备(如化学气相淀积和刻蚀反应器)以及工作人员(身穿的外套,体表的皮屑等)而产生。 和化学气相淀积工艺相反,虽然在操作中对于固体砷还是必须非常小心掌握,但是,分子束外延不需要庞大的安定保险装置。 低压化学气相淀积设备通用技术条件 4 .分别对300 c下采用等离子体增强化学气相淀积( pecvd )和70...
  • 化学气相淀积法    采用化学气相淀积法制备。 化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态天机薄膜材料。 面对国外技术封锁,刚刚回国不久的郑教授,知难而上,大胆提出用超低压化学气相淀积法来制备这种新材料。
  • 化学气相淀积工艺    和化学气相淀积工艺相反,虽然在操作中对于固体砷还是必须非常小心掌握,但是,分子束外延不需要庞大的安定保险装置。
  • 等离子化学气相沉积    工艺和等离子化学气相沉积工艺都在这里诞生。 电池的减反射膜为增强等离子化学气相沉积的氮化硅膜,呈深蓝色。 1.国家“八五”重点科技攻关项目“等离子化学气相沉积硬膜技术工业化研究”(1993-1997),己于1997年4月通过国家级鉴定。 其中物理气相沉积主要包括真空蒸发镀膜、溅射镀膜及离子镀膜等技术;化学气相沉积主要有化学气相渗涂工艺;物理化学气相沉积多用等离子化学气相沉积...
  • 低压化学汽相淀积    最常用的氮化硅生长法,是低压化学汽相淀积法和等离子增强的化学汽相淀积法,可用于制作第二和第三钝化层。 在该同志的有关理论指导下,研制的斜温区的“低压化学汽相淀积设备”解决了我国集成电路工艺急需,创造了很大的经济效益,1982年获山东省科技进步奖。
  • 化学汽相淀积    衬底材料对直接光化学汽相淀积类金刚石碳膜成膜初期的影响 课堂讲授和实验课重点介绍了基本的工艺技术,如扩散、氧化、光刻、化学汽相淀积以及其它。 传统制备氧化物薄膜的方法包括热氧化、化学汽相淀积、金属有机物化学汽相淀积、溶胶凝胶法等等。 在实验上已经用分子束外延和金属有机化学汽相淀积等技术对其物理性质进行了广泛的研究,而理论上的研究主要集中于研究量子线的尺寸对杂质束缚能的影响、...
  • 气相淀积    这个高的数值可以和从化学气相淀积外延得到的数值相比拟。 尘粒也能由工艺设备(如化学气相淀积和刻蚀反应器)以及工作人员(身穿的外套,体表的皮屑等)而产生。 和化学气相淀积工艺相反,虽然在操作中对于固体砷还是必须非常小心掌握,但是,分子束外延不需要庞大的安定保险装置。 低压化学气相淀积设备通用技术条件 4 .分别对300 c下采用等离子体增强化学气相淀积( pecvd )和70...
  • 真空化学汽相淀积    真空化学汽相淀积
  • 等离子体增强    电感性耦合等离子体增强型 磁场辅助等离子体增强化学气相沉积 等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼 铝及侣合金等离子体增强电化学表面陶瓷化 等离子体增强热丝化学气相沉积法生长取向金刚石薄膜 为了解决这一问题,电子回旋共振ecr等离子体增强有机金属气相沉积( ecr - pemocvd )应运而生。 本文探讨了制备zrn薄膜的微波- ecr等离子体增强非平衡...
  • 等离子体增强型    电感性耦合等离子体增强型 除了常压化学气相淀积(APCVD)之外,还有低压化学气相淀积(LPCVD),等离子体增强型淀积(PECVD)。 2011年1月8日,中国首台代表国际尖端水平的薄膜太阳能电池关键生产设备——等离子体增强型化学气相沉积设备(PECVD)在上海张江高科技园区的理想能源设备公司成功下线,这被视为中国在新能源高端装备领域取得的“零的突破”。
  • 高频等离子体增强    高频等离子体增强
  • 增强化学气相沉积    等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼 实验以硅烷和氧化二氮作为反应气体,采用等离子体增强化学气相沉积( pecvd )技术,在单晶硅衬底上制备了用于平面光波导的二氧化硅薄膜。 ( 3 )通过全方位离子注入和等离子体增强化学气相沉积相结合,发现制备出的类金刚石薄膜既改善了表面形貌又增强了结合力,因此证明了这是一种较好的制备方法。 微波等离子体增强化学气相沉积法( mpc...
  • 等离子体化学    等离子体化学化工中的一些基本问题 本研究中,用自行研制的微波等离子体化学气相沉积( mpcvd )装置对在硬质合金基体上金刚石的涂层进行了研究。 近年来微波等离子体化学气相沉积技术越来越受到人们的关注,它是一种新型的生产技术。 详细介绍了自行研制的2450mhz 5kw带有石英玻璃窗、水冷却不锈钢腔体微波等离子体化学气相沉积( mpcvd )装置。 本文详细介绍了自行研制的...
  • 双等离子体离子源    在通过d - t反应产生中子的低能倍压加速器中,一般采用三种类型的离子源:高频离子源( rf ) 、潘宁离子源( pig )和双等离子体离子源( dp ) 。
  • 离子化等离子体    ,直至现在仍是大部分同类研究的基础,他和伊戈尔?塔姆曾共同提出以环面状的磁场限制高热的离子化等离子体,以控制托卡马克的核聚变。 萨哈罗夫曾提出兴建一个受控核聚变反应堆??托卡马克,直至现在仍是大部分同类研究的基础,他和伊戈尔?塔姆曾共同提出以环面状的磁场限制高热的离子化等离子体,以控制托卡马克的核聚变。
  • 离子等离子体频率    离子等离子体频率
  • 离子等离子体波    得到了除朗缪尔波、离子声波和离子等离子体波外其它纵波的色散曲线和拟合色散关系。
  • 等离子体离子振荡    等离子体离子振荡
  • 化学淀积    主要有化学淀积、流水沉积、重力堆积和生物堆积等类型。 (sinter landscape):溶有碳酸氢钙和其他矿物质的地下水、地下热水和地下蒸气,在洞穴裂隙或在地表泉池边的化学淀积物称泉华。 经过两年奋战,终于建成全计算机控制的原子级快速辐射加热超低压化学淀积生长系统,并用这种方法在世界上生长出了第一块高质量锗硅超晶格材料,使我国成为少数掌握该项技术的国家之一。
  • 汽相轴向淀积    汽相轴向淀积
  • 汽相淀积    汽相淀积系统 衬底材料对直接光化学汽相淀积类金刚石碳膜成膜初期的影响 课堂讲授和实验课重点介绍了基本的工艺技术,如扩散、氧化、光刻、化学汽相淀积以及其它。 传统制备氧化物薄膜的方法包括热氧化、化学汽相淀积、金属有机物化学汽相淀积、溶胶凝胶法等等。 在实验上已经用分子束外延和金属有机化学汽相淀积等技术对其物理性质进行了广泛的研究,而理论上的研究主要集中于研究量子线的尺寸对杂质...
  • 汽相淀积系统    汽相淀积系统

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