金属氧化物半导体场的英文

• mosfet

• "金属氧化物"英文翻译    metallic oxide
• "半导体"英文翻译    semiconductor
• "场"英文翻译    a level open space; threshin ...
• "互补金属氧化物半导体场" 英文翻译 :    complementary metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor
• "金属氧化物半导体" 英文翻译 :    metal oxide semiconductor; mos metal-oxide semiconductor; oxide semiconductor
• "mos金属氧化物半导体场效应晶体管" 英文翻译 :    mos field effect transistor
• "金属氧化物半导体场效应晶体管" 英文翻译 :    ic mosfet; metal oxide semiconductor field effect transistor; metal-oxide-semiconductor field effect transistor; mos field effect transistor; mosfet mos
• "增强型金属氧化物半导体场效应晶体管" 英文翻译 :    emosfet; enhancement mos
• "n 沟道金属氧化物半导体" 英文翻译 :    n channel mos
• "n沟道金属氧化物半导体" 英文翻译 :    n-channel mos
• "v 型槽金属氧化物半导体" 英文翻译 :    v groove metal oxide semiconductor; v groove mos
• "垂直金属氧化物半导体" 英文翻译 :    vmos vertical metal oxide semiconductor
• "垂直型金属氧化物半导体" 英文翻译 :    vertical mos
• "单沟道金属氧化物半导体" 英文翻译 :    single channel mos
• "分立金属氧化物半导体掐" 英文翻译 :    elementary mos device
• "浮动栅金属氧化物半导体" 英文翻译 :    fgmos floating gate metal oxide semiconductor
• "浮栅金属氧化物半导体" 英文翻译 :    floating gate mos
• "复合金属氧化物半导体" 英文翻译 :    combined metal oxide semiconductor
• "高密度金属氧化物半导体" 英文翻译 :    high density metal oxide semiconductor
• "高速金属氧化物半导体" 英文翻译 :    high-speed metal oxide semiconductor; high-speedmetaloxidesemiconductor
• "高性能金属氧化物半导体" 英文翻译 :    high performance mos; hmos
• "高阈值金属氧化物半导体" 英文翻译 :    high threshold mos
• "沟道金属氧化物半导体" 英文翻译 :    n channel mos; nmos; p-channel metal oxide semiconductor p; p-metal oxide semiconductor p; pmos
• "沟信道金属氧化物半导体" 英文翻译 :    nmos
• "硅与铝金属氧化物半导体" 英文翻译 :    silicon and aluminum metal oxide semiconductor

• Discrete semiconductor devices - metal - oxide semiconductor field - effect transistors mosfets for power switching applications
  半导体分立器件.电力开关设备的金属氧化物半导体场效应晶体管
• Mosfets discrete semiconductor devices - part 8 - 4 : metal - oxide - semiconductor field - effect transistors mosfets for power switching applications
  半导体分立器件.第8 - 4部分:电力开关装置用金属氧化物半导体场效应晶体管
• Well , cmos complementary metal - oxide semiconductor chips use metal - oxide semiconductor field effect transistors mosfets . these are fundamentally different from bipolar transistors
  哦， cmos （互补金属氧化物半导体）芯片使用金属氧化物半导体场效应晶体管（ mosfet ） ，显然它是一种fei （场效应晶体管） 。
• Standard test method for separating an ionizing radiation - induced mosfet threshold voltage shift into components due to oxide trapped holes and interface states using the subthreshold current - voltage characteristics
  利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法