集电区的英文

• collecting zone
• collector region

• "集"英文翻译    gather; assemble; collect
• "电"英文翻译    electricity
• "区"英文翻译    H region; H
• "集电区宽度" 英文翻译 :    collector width
• "带电区" 英文翻译 :    electrified area
• "导电区" 英文翻译 :    conduction region
• "等电区" 英文翻译 :    isoelectric zone
• "放电区" 英文翻译 :    discharge zone
• "供电区" 英文翻译 :    service area; servicearea; supply area
• "介电区" 英文翻译 :    dielectric regime
• "铁电区" 英文翻译 :    ferroelectric domain
• "不带电区" 英文翻译 :    neutral area
• "不导电区" 英文翻译 :    non-conductive area
• "传导带；导电区" 英文翻译 :    conduction band
• "导电区域" 英文翻译 :    conducting region
• "供电区域" 英文翻译 :    supply area
• "馈电区域" 英文翻译 :    feeder section
• "雷电放电区" 英文翻译 :    lightning area
• "气体放电区" 英文翻译 :    gas-discharge zone; zone of gaseous discharge
• "送电区域" 英文翻译 :    feeding section
• "凸极电区" 英文翻译 :    salient pole armature
• "无线电区域" 英文翻译 :    radio district
• "正向导电区" 英文翻译 :    forward conducing region; forward conducting region
• "等电区, 等电地带" 英文翻译 :    isoelectric zone
• "电区域记录器" 英文翻译 :    electrical zone recorder

• Thus , it is believed that in subsequent high - temperature process , the base boron will outdiffuse very easily into emitter and collector , which will form a parasitic barrier for the electrons when moving from emitter into base and result in performance degradation of the device
  这样在后续的高温工艺中就会引起基区的杂质外扩到集电区和发射区，产生电子势垒，导致器件性能的严重退化。
• 1 、 through the theoretical analysis and the medici simulation , according to the design directive , the structural parameters are designed comprehensively , including the dopant concentration and the depth of the emitter , the base dopant concentration and the depth ( especially the ge ratio ) , the dopant concentration and the depth of the collector
  主要工作是: 1 、通过理论分析和medici模拟,综合设计得出符合设计指标的结构参数,主要包括:发射区的掺杂浓度和厚度?基区的掺杂浓度和厚度及基区中ge的组分比?集电区的掺杂浓度和厚度。