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增强型器件的日文

  • エンハンスメントデバイス
  • 例句与用法
  • 情况与增强型器件的类似。
  • 耗尽型器件在其栅极电压为零时也存在沟道,而增强型器件一定要施加栅极电压才有沟道出现。
  • ⑤JFET一般是耗尽型的,但若采用高阻衬底,也可得到增强型JFET(增强型JFET在高速、低功耗电路中很有应用价值);但是一般只有短沟道的JFET才是能很好工作的增强型器件
  • 若n-AlxGa1-xAs层厚度较大、掺杂浓度又高,则在Vg=0时就存在有2-DEG,为耗尽型器件,反之则为增强型器件(Vg=0时Schottky耗尽层即延伸到i-GaAs层内部);但该层如果厚度过大、掺杂浓度过高,则工作时就不能耗尽,而且还将出现与S-D并联的漏电电阻。
  • 其他语种释义
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