field-effect transistor中文是什么意思

• 场效晶体管
• 场效应管
• 场效应晶体管

• field    n. 1.原野，旷野；(海、空、冰雪等的)茫茫一片。 2 ...
• effect    n. 1.结果。 2.效能，效果，效力，效应，作用，功效 ...
• transistor    n. 【无线电】晶体(三极)管；晶体管[半导体]收音机。 ...
• depletion field effect transistor    耗尽型场效应管
• fet field effect transistor    场效应晶体管
• field effect transistor    【无线电】场效果晶体管。
• field effect transistor (fet)    场效应电晶体; 场效应管; 场效应晶体管
• field effect transistor circuit    场效应晶体管线路
• field effect transistor preamplifier    场效应晶体管前置放大器
• field effect transistor(fet)    场效应管
• field-effect photo transistor    场效应光电晶体管
• field-effect transistor multiplier    场效应管乘法器
• field-effect-transistor resistor    场效晶体管电阻; 场效应晶体管电阻器
• grid field effect transistor    栅场效应晶体管
• junction field effect transistor    面结型场效应晶体管
• junction field-effect transistor    结面型场效应晶体管; 面结型场效应晶体管
• microwave field-effect transistor    微波场效应晶体管
• monolithic field effect transistor    单块场效应晶体管
• mos field effect transistor    mos金属氧化物半导体场效应晶体管; 金属氧化物半导体场效应晶体管
• multichannel field-effect transistor    多通道场效晶体管
• optical field effect transistor    光场效应晶体管
• pentode field-effect transistor    五极场效应晶体管
• photo field effect transistor    光控场效应晶体管
• photosensitive field-effect transistor    光敏场效应晶体管
• silicon field-effect transistor    硅场效应晶体管

• The device structure and physical models of 4h - sic mosfet and mesfet are built and the properties are simulated with the use of medici software . the influence of the temperature and structure parameter on the device ' s properties is summarized indicates that no negative resistance exists in breakdown property and the breakdown voltage is up to 85v and 209v separately . the maximum power density of 4h - sic mesfet is as high as 19 . 22w / mm . at the same time , the processes of sic field - effect transistor is studied and the fabrication processes suitable to sic mosfet are developed .
  论文分析建立了4h - sicmosfet和mesfet器件的结构模型和物理模型，采用二维器件模拟软件medici对4h - sicmosfet和mesfet的输出特性进行了模拟分析，研究了温度和结构参数对器件特性的影响，表明两种器件的击穿特性均没有负阻现象，击穿电压分别达到85v和209v ，由此得到4h - sicmesfet最大功率密度可达到19 . 22w mm ；同时，研究了sic场效应晶体管的制作工艺，初步得到了一套制造sicmosfet器件的制造工艺流程，研制出了4h - sicmosfet器件。
• The key parts of barretter are made of irf840 field - effect transistor , the magnetic ring and high frequency choking coil which adopting negative temperature index . such components can provide barretters a wide applicable voltage 160v - 250v . low power consumption , minor temperature rise , stable functions , long life - span
  镇流器核心元件采用irf840场效应三极管，磁环及高频扼流圈采用负温系数，这样的元件选择使整流器适用电压范围宽160v - 250v ，功耗低，温升小，性能十分稳定，确保其拥有很长的寿命。

• field-effect transistorとは意味：電界効果｛でんかい こうか｝トランジスタ◆【略】FET