ウェハ造句

• 図７（ａ）にＣＡＮＯＮ　ＰＬＡ５０１のウェハーチャックと光軸の関係，図７（ｂ）に一般的なウェハーチャックと光軸の関係を示す。
  图７（ａ）显示的是ＣＡＮＯＮ　ＰＬＡ５０１的晶圆吸盘与光轴的关系，图７（ｂ）显示的是普通晶圆吸盘与光轴的关系。
• では，ＩＡＰウェハーにおける金属の存在深さを求めることを目的として，市販のＴＸＲＦ装置特有の三つのパラメーターを含む理論式を導出した。
  接下来，以计算ＩＡＰ晶圆中金属的存在深度为目的，导出了包括市场销售的ＴＸＲＦ装置所特有的三个参数在内的理论式。
• ＨＦ処理によりＳｉウェハーの自然酸化膜を除去した後，電流密度を１．６７Ａ／ｍ２に設定し，５秒刻みで電着レジストを電着させた。
  在通过ＨＦ处理去除Ｓｉ晶圆上的自然氧化膜后，把电流密度设定为１．６７Ａ／ｍ２，以５秒为单位，对电沉积光刻胶进行了电沉积。
• ＰＬＡ５０１は，図７（ａ）に示すようにウェハーチャックが光軸に対して垂直になるように調整した後，ウェハーをチャッキングするため，レジストの側壁を垂直に形成できる。
  对于ＰＬＡ５０１，如图７（ａ）所示，因为是在将晶圆吸盘与光轴调整垂直后，卡紧晶圆，所以能够垂直地形成光刻胶的侧壁。
• ＰＬＡ５０１は，図７（ａ）に示すようにウェハーチャックが光軸に対して垂直になるように調整した後，ウェハーをチャッキングするため，レジストの側壁を垂直に形成できる。
  对于ＰＬＡ５０１，如图７（ａ）所示，因为是在将晶圆吸盘与光轴调整垂直后，卡紧晶圆，所以能够垂直地形成光刻胶的侧壁。
• 上部ガラスウェハ（ガラス?１）は真空封止のため，３００℃，３０ｍＴｏｒｒでガラス?１に?１ｋＶの電圧を印加することによってＳＯＩウェハと陽極接合される。
  上部玻璃晶圆（玻璃－１）为了真空密封，在３００℃，３０ｍＴｏｒｒ下，通过向玻璃－１加载－１ｋＶ的电压，使其与ＳＯＩ晶圆进行阳极键合。
• 上部ガラスウェハ（ガラス?１）は真空封止のため，３００℃，３０ｍＴｏｒｒでガラス?１に?１ｋＶの電圧を印加することによってＳＯＩウェハと陽極接合される。
  上部玻璃晶圆（玻璃－１）为了真空密封，在３００℃，３０ｍＴｏｒｒ下，通过向玻璃－１加载－１ｋＶ的电压，使其与ＳＯＩ晶圆进行阳极键合。
• 超大規模集積回路（ＵＬＳＩ）の高集積化の進行に伴ってウェハープロセスへの清浄度の要求はますます厳しくなり，対象ごとに許容される汚染濃度の基準が定められるようになった。
  随着超大规模集成电路（ＵＬＳＩ）的高集成化，对晶圆工序的洁净度要求也越来越严格，渐渐确立了针对每一个对象的容许污染浓度的标准。
• まず，両面酸化したシリコンウェハ（（株）フェローテックシリコン，厚さ２００μｍ，２５０μｍ，結晶軸＜１００＞，抵抗率０．０２Ω?ｃｍ以下）を基板として用いた。
  首先，使用了双面氧化的硅晶圆（（株）Ｆｅｒｒｏｔｅｃ　Ｓｉｌｉｃｏｎ，厚度２００μｍ，２５０μｍ，晶轴＜１００＞，电阻率０．０２Ω·ｃｍ以下）基板。
• 接触対象物には実際のボンディングパッドを想定し，Ａｕめっきが施してあるウェハとＡｌ?Ｃｕスパッタが形成されているウェハを用い，印加電流３０ｍＡ，２１０ｍＶの条件で測定を行った。
  设想接触对象物为实际的焊盘，研究人员使用镀Ａｕ的晶圆和形成了Ａｌ－Ｃｕ溅射层的晶圆，在加载电流３０ｍＡ，２１０ｍＶ的条件下进行了测量。
• 接触対象物には実際のボンディングパッドを想定し，Ａｕめっきが施してあるウェハとＡｌ?Ｃｕスパッタが形成されているウェハを用い，印加電流３０ｍＡ，２１０ｍＶの条件で測定を行った。
  设想接触对象物为实际的焊盘，研究人员使用镀Ａｕ的晶圆和形成了Ａｌ－Ｃｕ溅射层的晶圆，在加载电流３０ｍＡ，２１０ｍＶ的条件下进行了测量。
• 本手法では，斜めに入射する光源を大面積にすることで，大面積ウェハ上にアレイ状に配列した複数のチップに対して一括で露光を行なうことも可能であり，ＭＥＭＳ構造体用の新しい露光技術として期待される。
  本方法还能通过扩大斜向入射的光源的面积，对大面积晶圆上阵列状排列的多个芯片进行统一曝光，作为ＭＥＭＳ结构体用新曝光技术受到了期待。
• その後，ウェハー洗浄後の表面に対してもＶＰＤ後０．１ｍｌ程度の液滴で表面を走査して，その液滴中にＶＰＤで霧状に表面に付着している微小液滴を取り込んで回収する方法が考案された。
  随后提出了，对清洗之后的晶圆表面进行ＶＰＤ，然后用０．１ｍｌ大小的液滴对其表面进行扫描，用该液滴对因ＶＰＤ在晶圆表面附着的呈雾状的微小液滴进行吸收的方法。
• Ｃｏｉｌ?ｏｎ?Ｃｈｉｐ　ＲＦＩＤ（マクセル精密社製）は，ス?パ?ＥＦ２（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｆｉｎｅ　Ｆｏｒｍｉｎｇ）した超精密電子製造技術を用いたシリコン?ウェハの上に銅のアンテナコイルを一体形成したものである。
  Ｃｏｉｌ－ｏｎ－Ｃｈｉｐ　ＲＦＩＤ（由日本万胜精密株式会社制造）是，将利用超ＥＦ２（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｆｉｎｅ　Ｆｏｒｍｉｎｇ）化的超级精密电子制造技术制造的硅片与铜制天线一体化的系统。
• これらのサンプリング法と溶液中の金属成分に対して，より高感度な分析法として実用化された誘導結合プラズマ質量分析法（ＩＣＰ?ＭＳ）と組み合わせて高感度化が図られ，ウェハー表面の酸化膜系の汚染に対しては１０＾｛９｝ａｔｏｍｓ　ｃｍ?２以下のレベルまで分析が可能となった。
  将这些采样方法与针对溶液中的金属成分进行更高灵敏度的分析方法，即被实用化的诱导结合等离子质量分析法（ＩＣＰ－ＭＳ）相结合，提高灵敏度，并能在低于１０＾｛９｝ａｔｏｍｓ　ｃｍ－２的条件下，对晶圆表面氧化膜的污染进行分析。
• この手法は膜を溶解した後のＳｉウェハーを疎水性にすることで液滴の回収を容易にすること，及び液滴を分析する際の酸由来の分子イオン生成を最小限度にとどめるとともに，金属薄膜の溶解性を向上させるために，できるだけ希薄にしたＨＦをベースとした塩酸（ＨＣｌ）や硝酸（ＨＮＯ３）などの混合液を用いることを特徴としている。
  本方法的特点是，膜溶解后的Ｓｉ晶变成了疏水性，使液滴的回收变得容易，而且在分析液滴时由酸生成的分子离子停留在最小限度，同时，为了提高金属离子的溶解性，使用尽可能稀薄的ＨＦ作基底的盐酸（ＨＣｌ）、硝酸（ＨＮＯ３）等混合液，。