多余载流子造句

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存储现象实质上是电路在开关转换过程中由多余载流子所引起。
但是在进一步探索提高电路速度时，发现晶体管多余载流子的存储效应是一个重要障碍。
在进一步探索提高饱和型电路开关速度的同时，发现晶体管多余载流子的存储效应是一个极重要的障碍。
这些多余载流子的产生，是由于过驱动电流导致晶体管进入饱和状态，多余的载流子又来不及复合消失，势必存储在晶体管区内。
要提高电路开关速度,除了减少晶体管PN结电容，或者设法缩短多余载流子的寿命以外，就得减少和消除晶体管内载流子存储现象。
为了进一步提高开关速度，只有设法使晶体管处于临界饱和状态，避免对晶体管过驱动才有可能消除和避免多余载流子的存储效应。
电路处于转换过程中，当输入端为低电平时,较大的正向电流放大系数能抽出较大的电流,使原来存储的多余载流子很快消失；当输入端是高电平时，较小的反向电流放大系数，使多发射极晶体管的反向漏电流最小，不致影响前一级高电平输出。
用多余载流子造句挺难的，這是一个万能造句的方法

其他语种

多余载流子的英语：excess carrier
多余载流子的日语：かじょうキャリア

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