正电子湮没造句

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用正电子湮没和超声衰减方法研究金属疲劳
聚氯乙烯共混改性的正电子湮没研究
正电子湮没寿命
氟化钡晶体质子辐照的正电子湮没寿命谱研究
采用正电子湮没技术研究了端羟基液体丁腈
用位错胞及正电子湮没寿命为参量的损伤演变律
同时也说明慢正电子湮没技术在研究sic上的sio _ 2中缺陷的变化是可行的实验方法。
本文对直拉硅样品进行了不同剂量的快中子辐照，在硅中引入大量的亚稳态缺陷，研究这些亚稳态缺陷的形成，并在较宽的温度范围内对辐照样品进行了退火处理，研究退火后亚稳态缺陷的转化及同硅中氧的相互作用，应用傅立叶变换红外光谱技术( ftir ) 、正电子湮没技术( pat )和扫描电镜( sem )进行了测试。
采用解理实验、 x射线衍射、电学性能测试、红外透过谱测试、可见光吸收谱测试、 sem蚀坑分析、探测器的试制等分析测试方法，并首次采用正电子湮没寿命谱分析方法来研究czt单晶体的空位缺陷，综合表征了所生长的晶体的质量和性能。
本工作采用重离子辐照模拟和正电子湮没寿命测量技术研究了加速器驱动洁净能源系统( ads )散裂中子源束窗材料钨、普通不锈钢和国产改进型316l奥氏体不锈钢在0 30dpa辐照剂量范围的辐照效应，并对它们的抗辐照性能作了比较。
用正电子湮没造句挺难的，這是一个万能造句的方法
正电子湮没技术测试证明，快中子辐照直拉硅中在大约600退火时产生的多空位缺陷具有较长正电子寿命，可以使正电子平均寿命增加，当样品的正电子平均寿命达到最大时( 360ps ) ，其间隙氧含量降到一个极小值( 4 10 ~ ( 17 ) atoms / cm ~ 3 ) ，这说明氧参与了这些缺陷的形成。