正电子湮没技术造句

• 正电子湮没技术应用已有二十多年的历史。
• 采用正电子湮没技术研究了端羟基液体丁腈
• 正电子湮没技术可用来研究物质微观结构及其变化。
• 现在，正电子湮没技术已成为一种研究物质微观结构的新手段。
• 同时也说明慢正电子湮没技术在研究sic上的sio _ 2中缺陷的变化是可行的实验方法。
• 电子顺磁共振、穆斯堡尔效应、正电子湮没技术等已成为研究杂质和缺陷的有力手段。
• 、正电子湮没技术、磁共振技术等现代化实验手段，使固体物理性质的研究不断向深度和广度发展。
• 撰写的《应用正电子湮没技术研究掺杂硅酸二钙的晶体缺陷》，填补了我国水泥科研领域的一项空白。
• 现在正电子湮没技术已经进入固体物理、半导体物理、金属物理、原子物理、表面物理、超导物理、生物学、化学和医学诸多领域。
• 开展了原子键强度和电子结构及原子间力对屈服现象的作用的研究，以及分形理论应用于断裂的研究，并用正电子湮没技术研究位错中心组态和电子结构获得重要成果。
• 为了求生存，施士元和同事们将实验工作转向利用放射性同位素作核技术应用方面的工作，在８０年代先后开展了穆斯堡尔谱在生物分子研究方面的工作和用正电子湮没技术研究高分子材料的工作。
• 正电子湮没技术（Position Annihilation Technique，PAT），是一项较新的核物理技术，它利用正电子在凝聚物质中的湮没辐射带出物质内部的微观结构、电子动量分布及缺陷状态等信息，从而提供一种非破坏性的研究手段而备受人们青睐。
• 正电子湮没技术测试证明，快中子辐照直拉硅中在大约600退火时产生的多空位缺陷具有较长正电子寿命，可以使正电子平均寿命增加，当样品的正电子平均寿命达到最大时( 360ps ) ，其间隙氧含量降到一个极小值( 4 10 ~ ( 17 ) atoms / cm ~ 3 ) ，这说明氧参与了这些缺陷的形成。
• 本文对直拉硅样品进行了不同剂量的快中子辐照，在硅中引入大量的亚稳态缺陷，研究这些亚稳态缺陷的形成，并在较宽的温度范围内对辐照样品进行了退火处理，研究退火后亚稳态缺陷的转化及同硅中氧的相互作用，应用傅立叶变换红外光谱技术( ftir ) 、正电子湮没技术( pat )和扫描电镜( sem )进行了测试。