空位缺陷造句
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- Ple结果表明, 37onm和410nm的pl ,峰与样品中的氧空位缺陷有关,而510nm的pl峰则是由于铝的掺入改变了样品中的缺陷状态所致,是al 、 si 、 o共同而复杂的作用结果。
- 栅泄漏电流的减小可归于氧空位缺陷的减小,即高的溅射氧气氛和氧气氛退火有助于减小hfo _ 2栅介质中的氧空位缺陷; 4 )研究了反应溅射制备的hfo _ 2栅介质漏电流机制及其silc效应。
- 采用解理实验、 x射线衍射、电学性能测试、红外透过谱测试、可见光吸收谱测试、 sem蚀坑分析、探测器的试制等分析测试方法,并首次采用正电子湮没寿命谱分析方法来研究czt单晶体的空位缺陷,综合表征了所生长的晶体的质量和性能。
- 正电子湮没技术测试证明,快中子辐照直拉硅中在大约600退火时产生的多空位缺陷具有较长正电子寿命,可以使正电子平均寿命增加,当样品的正电子平均寿命达到最大时( 360ps ) ,其间隙氧含量降到一个极小值( 4 10 ~ ( 17 ) atoms / cm ~ 3 ) ,这说明氧参与了这些缺陷的形成。
- 用空位缺陷造句挺难的,這是一个万能造句的方法
其他语种
- 空位缺陷的英语:vacancy defect