阈值电压造句

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阈值电压解析模型
的阈值电压解析模型
研究了阈值电压对电路的性能和功耗的影响。
阈值电压的温度系数分析
Mosfet阈值电压漂移辐照效应辐照敏感性
低剂量辐照条件下的mosfet因辐照导致的阈值电压漂移的模拟
这个峰值电压设置为阈值电压，用来计算仪器的电压响应曲线。
挠曲电效应对阈值电压、饱和电压和对称性破缺参量有重要影响。
随着gaas集成电路的发展，集成度的提高，对gaas单晶阈值电压均匀性的要求越来越高。
然后用二维模拟软件medici模拟,得到器件的阈值电压约为- 0 . 1v ,泄漏电流很小。
用阈值电压造句挺难的，這是一个万能造句的方法
结果表明，采用平面工艺制备的gaasmesfet阈值电压均匀性比采用挖槽工艺制备的gaasmesfet阈值电压均匀性更好。
论文同时还提出一种新型的自收敛sibe软编程操作模式，对过擦除存储单元的阈值电压分布具有很好的收敛效果。
根据满足的微分方程和边界条件，研究了液晶盒的基本性质，包括阈值电压和饱和电压。
本文设计了一套适合多种工艺的阈值电压均匀性研究测试版图，包括多种材料参数和工艺参数测试图形。
分别对采用隔离注入挖槽工艺和平面选择离子注入自隔离工艺制备的gaasmesfet阈值电压均匀性进行了比较研究。
特别是在n阱集成电路工艺，体效应使得每一阶nmos管的阈值电压都不断抬升，以至于电荷泵的最高输出电压受到限制。
给出的结果表明，指向矢倾角的变化随着电场的增大或锚定强度的减小而变大；液晶盒的阈值电压随锚定强度的增大而减小。
在传统的cmos电荷泵电路中，电荷泵输出的电压受mos管的阈值电压限制，所以当要求电荷泵的输出电压较高时，则不得不连很多阶来达到要求。
我们通过载流子在漏极附加陷阱态势垒的输运模型,解释了器件在应力后出现的阈值电压的退化现象和非对称性开态电流恢复现象。
并以lecsi - gaas晶体为衬底制作注入型mesfet器件，研究了gaas衬底的ab微缺陷和mesfet器件电性能(包括跨导、饱和漏电流和阈值电压)的关系。