阈值电流密度造句

• Ingaas / gaas应变量子阱激光器具有级低的阈值电流密度、较高的特性温度和较高的光学灾变损伤阈值，这使得激光器具有更高的输出功率和更长的寿命。因此ingaas / gaas应变量子阱结构可以用于大功率半导体激光器的制备。
• 由于本实验室正处于由试验研究向产业化迈进的阶段，针对常规ingaas / gaas / algaas量子阱激光器做了很多工作，文中系统论述了常规量子阱激光器的各项性能参数?阈值电流密度、斜率效率、远场发散角、光谱线宽等的影响因素及改进的有效办法，并针对激光器p ? i线性度不好、远场发散角出现多瓣的现象，通过理论分析找出原因所在并进行了改进，有效解决了以上问题。
• 大功率半导体量子阱激光器是一种性能优越的发光器件，具有寿命长、阈值电流密度低、效率高、亮度高以及良好的单色性、相干性、方向性等特点，广泛应用于军事、工业加工、通信及信息处理、医疗保健等领域。材料的外延生长是整个激光器器件制作的基础，对器件的光学和电学性能有着重要的影响，生长不出优质的材料体系，获得高性能的器件就无从谈起，因此，材料的外延生长便成为了整个半导体激光器制作过程之中的重中之重。
• 在此基础上进行了面发射半导体激光器二维( 2d )列阵的制备研究，初步获得了具有较低阈值电流密度和较高功率的45偏转镜面发射阵列半导体激光器，为研制高可靠性、高功率、低阈值电流的面发射阵列半导体激光器奠定了一定的基础。

• 阈值电流密度的英语：threshold current density