溅射工艺造句

造句与例句手机版

磁控溅射靶源设计及溅射工艺研究
由优化的溅射工艺参数原位沉积的锰铜薄膜的tcr 。
研究表明,磁控溅射工艺对zno薄膜的锌氧配比、厚度和织构都有很大影响。
本文以高纯金属钒作为靶材，采用磁控溅射工艺制备氧化钒薄膜。
为优化溅射工艺参数以用于后续的硅基tini薄膜制备，本文从工艺因素入手，对玻璃基溅射薄膜两个表面的质量差异进行了分析，并给出合理解释。
采用x射线衍射( xrd ) 、 x射线光电子能谱( xps ) 、扫描电子显微镜( sem ) 、原子力显微镜( afm ) ,光致发光谱( pl )和霍尔效应测试技术系统研究了溅射工艺和退火工艺对zno薄膜的厚度、成分、织构、表面形貌、光学性能和电学性能的影响规律。
利用广角x射线衍射技术对不同溅射工艺下plct薄膜的相结构进行了研究;采用扫描电子显微镜( sem )和原子力显微镜( afm )分别观察了薄膜的表面形貌;利用掠入射x射线衍射( gixrd )测量了薄膜的残余应力。
本研究课题以氧化锌铝靶为靶材，采用直流磁控溅射工艺在纯氩气气氛中沉积zao薄膜。靶材中al _ 2o _ 3的掺杂比例分别为1 、 2 、 3 、 4 。用xrd 、 sem 、 xps 、 afm和红外、紫外分光光度计等测试手段对沉积的薄膜进行了表征。
本论文的主要的研究工作进展如下: 1 .通过调控溅射工艺成功制备具有显著差异的表面形貌的非晶碳薄膜,其表面特征为从光滑平坦过渡到具有丰富的孔隙和极其复杂的皱褶的分形结构。
溅射过程中， tbco磁性层的溅射工艺参数如溅射功率、复合靶的组分、溅射气压、溅射时间和cr底层的溅射气压及cr底层厚度对薄膜的矫顽力的大小都有影响，其中溅射功率、靶的组分及膜层厚度对矫顽力的影响较大；从实验结果得出tbco cr薄膜获得最大矫顽力的工艺参数如下： tbco层溅射功率pw = 375w ，溅射气压par = 4mt ，溅射时间t = 3min ； cr底层pw = 250w ，溅射气压par = 4mt ，溅射时间t = 6min 。
用溅射工艺造句挺难的，這是一个万能造句的方法
其中磁控溅射工艺具有沉积速率高均匀性好等优点而成为一种广泛应用的成膜方法。本研究课题分别以氧化铟锡靶和铟锡合金靶为靶材，采用射频磁控溅射和直流反应磁控溅射工艺在氩气气氛中沉积ito薄膜。靶材中sno _ 2和sn的掺杂重量比例分别为10和7 。
本文在综述zno薄膜的结构特性、制备方法和光电性能等现状的基础上,采用射频磁控溅射技术制备了纯和sb _ 2o _ 3掺杂的zno薄膜,采用sem 、台阶仪、 xrd 、 xps 、 uv - vis分光光度计分析、电阻仪、阻抗谱仪等仪器设备分别研究了溅射工艺参数、退火工艺参数和sb _ 2o _ 3掺杂对zno薄膜结构特性、光吸收性能和电学特性的影响规律。
为了满足光电产业界对ito薄膜的强大需求， ito粉体的制备生产技术和薄膜的形成取得了很大的成效。目前，工业界主要是先将ito粉制成靶材，再利用直流磁控溅射工艺，在材料的表面形成ito薄膜。
采用丝材冷轧法，制备了75 m 、 90 m两种厚度的tini形状记忆薄膜，示差扫描量热( dsc )法测得其马氏体逆相变峰值温度分别为35 、 109 ，在溅射工艺中，采用富ti的tini合金靶( ti - 48at ni )而不是其它成分补偿措施，来增加tini薄膜中的ti含量。