溅射时间造句

• 通过更换不同材质的靶和控制不同的溅射时间，便可以获得不同材质和不同厚度的薄膜。
• 通过可变占空比的电源控制器实现对Cu/Ga合金靶以及In靶溅射时间的控制，进而实现对最后元素配比的控制。
• 从元件的性能测试中可以看出，元件的特性和敏感材料的厚度、溅射功率、溅射时间以及溅射气压有关系。
• 借助光学显微镜、摩擦磨损试验仪和划痕试验仪等研究了溅射时间、溅射功率以及中间层对薄膜性能的影响。
• 时间对接触角的影响较为复杂，在30分钟内，接触角随溅射时间的增加而增大， 30分钟以后，接触角基本不变。
• 实验中发现，在一个溅射周期中，Cu/Ga合金靶溅射时间对最后成分影响最大，其次是In靶溅射时间，非溅射时间的长短对成分也有影响。
• 实验证明,在pbtio _ 3中掺入过多la不利于薄膜钙钛矿结构的形成;而较低的溅射气压和较长的溅射时间有利于plct薄膜纯钙钛矿相的形成。
• 最后研究了不同功率、压力、溅射时间对氟碳膜憎水性能的影响，并测量了氟碳膜的接触角，发现接触角随功率的增加而减小，随压力的增加而增大。
• 由于溅射速率取决于被分析的元素，离子束的种类、入射角、能量和束流密度等多种因素，溅射速率数值很难确定，一般经常用溅射时间表示深度变化。
• 发现,随着工作压强的升高、靶距的增加,薄膜的透光率上升;基片温度的升高在非晶衬底上会导致样品透光率的下降;而氮气浓度和溅射时间对薄膜的透光率影响不大。
• 然后利用双光束分光光度计测定了其透光率,研究了透光性能与各制备条件之间的关系,发现,随着工作气压、基片温度、靶基距的增大,薄膜的透光率有不同程度的增大;但透光率随着溅射时间的增加而呈近线性下降。
• 结果显示，在tio _ 2 tin多层膜中， tin溅射沉积时间较短时，薄膜在紫外?可见光范围内呈现出较高的透过率；随着tin薄膜溅射时间的增长，透过率武汉理工大学硕士学位论文逐渐降低;在tio :与tin之间镀制一层ti膜过渡层可以提高双层薄膜ti02ztin的可见光透过率。
• 首先,探讨了溅射气压( pg ) ,溅射功率( pin ) ,衬底温度( t )和溅射时间( t )对si单层膜的厚度、微观组织结构和光性能的影响规律,确定出了薄膜表面状况和光性能优的磁控溅射的制备工艺,在实验所研究的范围内,沉积si薄膜的最佳工艺参数为: pg = 1 . 0pa ; t = 300 400 ; pin = 90 100w 。
• 以pld为例，因素主要有：靶材与基片的晶格匹配程度镀膜氛围（低压气体氛围）基片温度激光器功率脉冲频率溅射时间对于不同的溅射材料和基片，最佳参数需要实验确定，是各不相同的，镀膜设备的好坏主要在于能否精确控温，能否保证好的真空度，能否保证好的真空腔清洁度。
• 溅射过程中， tbco磁性层的溅射工艺参数如溅射功率、复合靶的组分、溅射气压、溅射时间和cr底层的溅射气压及cr底层厚度对薄膜的矫顽力的大小都有影响，其中溅射功率、靶的组分及膜层厚度对矫顽力的影响较大；从实验结果得出tbco cr薄膜获得最大矫顽力的工艺参数如下： tbco层溅射功率pw = 375w ，溅射气压par = 4mt ，溅射时间t = 3min ； cr底层pw = 250w ，溅射气压par = 4mt ，溅射时间t = 6min 。